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纳米晶BaTiO3湿敏元件研制 总被引:2,自引:0,他引:2
用硬酯酸法制备纳米晶钛酸钡材料,并制成湿敏元件,可用于全湿范围,灵敏度较高.纳米晶的粒径尺寸影响湿敏元件的电阻.掺入某些杂质如Na2CO3可以改善元件的湿敏特性 相似文献
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王兢 《吉林大学学报(理学版)》1991,(3)
自发现La_(2-z)Sr_zCuO_4材料具有高温超导特性以来,对于它的研究引起了人们的广泛兴趣。但这种材料在制备成片状过程中存在成片困难及高温烧结时易破裂等问题,严重地影响了材料测试的准确性和可靠性。为此,我们采用了加入高分子材料分段升温烧结方法,经过反复实验和研究,制备出了高密度的片状La_(1.8)Sr_(0.2)CuO_4材料。 相似文献
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采用硬脂酸凝胶法制备了粒度均匀的TiO2纳米晶。用X射线衍射光谱和透射电镜对产物进行表征。通过对所制材料复阻抗的测定,总结出与之相应的等效电路。实验结果表明,随着纳米晶TiO2粒径的增大,其复阻抗谱由低频端上翘的半圆弧曲线逐渐变为一条斜线,所对应的等效电路由阻挡层串联型变为德拜型。 相似文献
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用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较,结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象,Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体,而且GaP符合化学计量,测得GaP外延层带隙波长为540nm。 相似文献
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用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10μm的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较.结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象;Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In熔体,而且GaP符合化学计量比.测得GaP外延层带隙波长为540 相似文献
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以La2O3,Fe(NO3)3·9H2O为原料,采用柠檬酸盐法合成LaFeO3纳米晶.用IR,DTA,TGA对原粉形成纳米晶过程进行分析,用XRD,TEM对纳米晶进行表征,并对其湿敏特性进行研究.结果表明,改进灼烧方法后,可以在更低的温度(450℃)下使原粉形成纳米晶,粒径可达14nm.用此纳米材料制成的湿敏元件有较高的灵敏度和较好的稳定性. 相似文献
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