Na_2ZnCl_4·3H_2O：Mn~（2＋）晶体EPR参量及其单轴压力效应的

假设在Ｎａ２ＺｎＣｌ４·３Ｈ２Ｏ：Ｍｎ２＋晶体中，处于Ｃ３轴上与Ｍｎ２＋发生作用的是Ｈ２Ｏ配体而非Ｃｌ－；用对角化能量矩阵的方法计算Ｄ、ａ和ｇ，以及单轴压力效应ｄＤ／ｄｐ和ｄａ／ｄｐ，结果与实验相当一致，表明：Ｈ２Ｏ取代Ｃｌ－的假设是合理的，晶体场理论对Ｎａ２ＺｎＣｌ４·３Ｈ２Ｏ：Ｍ同样适用．     

新历史小说的后现代价值取向

中国新历史小说的"零度"情感、叙事零散与语言游戏等取向具有借鉴西方后现代主义的印迹.结合新历史小说产生语境来考察可以发现,新历史小说作家的后现代价值选择消解了启蒙精神,新历史小说价值取向对西方后现代主义的"借鉴"带有急功近利的色彩.     

水肥耦合对郑单958干物质积累与氮素转运的影响

为了给河南地区夏玉米在水肥管理方面提供理论依据,以郑单958为实验材料,用田间试验方法研究了不同水肥条件下,玉米在各生育期内干物质与氮素的积累规律.结果表明:投入氮肥可以使干物质及氮素的积累量增加,但是增加不是没有限制的,当水分不足时,过多的氮肥反而会造成干物质及氮素积累量的下降,氮肥偏生产力及氮收获指数也符合这个规律.因此,肥料用量在配合适当水分的条件下,不仅能有效地促进氮素的吸收、累积,而且能够提高氮素在籽粒中的分配比例,从而有利于玉米高产的形成.     

从戏剧冲突看影视与文学的兼容性特征——以《疯狂的石头》、《两杆大烟枪》为例

影视作品对各种艺术手法兼容并蓄的特性众所周知,摄影、音乐、文学等艺术手法都可以在影视作品中得到组合,并以几乎完美的方式表现出来,本文将从戏剧冲突方面来探讨影视与文学的兼容性特征,就文学里戏剧冲突的表现,电影里矛盾冲突的创造来讨论,并以《疯狂的石头》、《两杆大烟枪》中的矛盾冲突为例进行论述。     

利用STM直接观察红荧烯薄膜中的质量密度波

在异质外延薄膜的生长中,应力对薄膜的结构和形貌起着至关重要的作用.理论研究表明,在非公度的薄膜中,应力可以通过形成质量密度波(MDW,Mass Density Wave)的形式释放出来.但是,迄今为止还没有直接的证据证明质量密度波的存在.本文我们用扫描隧道显微镜(STM,Scanning Tunnelling Microscopy)在Bi(001)表面形成的单层红荧烯薄膜中,直接观察到了质量密度波.其表现形式为表面高度有微小的正弦波动,并且分子取向发生周期性畸变.此外,我们还指出质量密度波的形成是由于红荧烯单层膜相对Bi衬底的晶格转动所导致的,由于转动方向不同,质量密度波会呈现出条形或之字形两种不同形状的条纹.     

氟化并五苯分子在半金属Ga表面的自组装单层

采用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和分子束外延(MBE)系统,研究了在半金属镓表面上的氟化并五苯(perfluoropentacene)分子的自组装单层结构.在室温下氟化并五苯分子在镓表面表现出较高的迁移性.随着覆盖度的增加,氟化并五苯分子从最初形成的两维无序结构演化到有序排列的分子自组装单层.高分辨的STM图像表明,氟化并五苯分子结合成分子二聚体,并平铺在衬底表面.随着覆盖度的进一步增加,第二层氟化并五苯分子"直立"在第一层分子上面.这表明分子-衬底之间的相互作用大于两分子层之间的范德瓦尔斯相互作用.     

应力释放诱导的酞菁钴转子阵列

利用低温扫描隧道显微镜研究了酞菁钴(CoPc)分子在Cd(0001)表面上形成的自组装单层和转子阵列.在低温生长的酞菁钴分子单层中发现了应力诱导的3种空位结构:单分子空位、两分子空位和三分子空位.研究发现高温退火会导致结构相变:3种空位结构转变为均匀分布的单分子空位阵列.特别有趣的是,在每个单分子空位内部都存在一个酞菁钴转子.在液氮温度下(78 K),酞菁钴转子围绕着空位中心发生偏心转动;在液氦温度下(4.7 K),转子被冻结在空位的边缘上.     

在Cd(0001)基底上制备单斜相的红荧烯薄膜

利用有机分子束沉积和超高真空-低温扫描隧道显微镜,研究了红荧烯在Cd(0001)表面上的自组装和薄膜生长过程.研究发现:在低覆盖度下单个红荧烯分子斜躺在基底表面,表现出3个不同亮度的突起,并出现了手性特征.随着覆盖度的增加,红荧烯形成自组装的单层结构,每个分子仍保持斜躺的姿态,但单个分子的形貌非常依赖偏压,在高偏压下表现出3个突起,在低偏压下表现出4个突起.之后,第二层的红荧烯发生了取向相变:分子由斜躺变为站立,且在第二层出现了两种不同的结构.第一种是链状分子结构,第二种是一个新的单斜相.特别是,此前曾有人利用第一原理计算预言了该单斜相的存在,但一直没有得到实验证实.此次研究成果可以为制备新型红荧烯发光器件提供新的选择和思路.     

三角对称下的d~5离子旋-轨耦合晶场分裂

本文在弱场图象中利用不可约张量算符法,在考虑旋-轨耦合作用后,计算出 d~5离子在 C_(?)对称晶场中的哈密顿矩阵.