离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质

低温显微偏振光致发光谱的测量表明, 经选择性As+离子注入和快速退火后, V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应, 其光致发光呈现约63%的线性偏振度; 对量子线样品的低温磁阻测量亦表明, 经选择性As⁺离子注入和快速退火后, 准一维量子线表现出良好的一维输运特性.     

单量子阱线的Raman谱

利用显微Ｒａｍａｎ谱测量了Ｖ型槽量子阱线,观察和指认了来自单根量子阱线的Ｒａｍａｎ谱,它们是位于２２３和２４３ｃｍ的无序激活峰,位于２６７ｃｍ的量子阱线的ＧａＡｓ限制纵光学模,以及位于４８８和７０７ｃｍ的无序激活峰的二阶和频和三阶组合Ｒａｍａｎ峰。     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

红外物理学引言及若干新进展

红外是指电磁波谱中或光量子波谱中界乎可见光和微波之间的广阔谱区,它相应的电磁波长从0.76微米到1000微米,光量子能量从约1电子伏到1毫电子伏左右。红外物理是研究这一波段电磁波或电磁辐射的产生、传播和与物质的相互作用、接收以及应用的科学,是凝聚态物理和光学(包括应用光学)相互交叉结合形成的学科。红外物理的研究和发展历史表明,它是红外光电子技术应用及其他有关高技术应用的物理基础和先导,有广深的应用背景,在经济建设、国防建设,乃至人们日常生活中都有许多重要和直接的应用。     

红外物理国家重点实验室

一、简况 红外物理国家重点实验室依托中科院上海技术物理研究所,是1985年中国科学院首批开放实验室之一,1989年经国家计委批准开始国家重点实验室建设,1992年通过验收。沈学础院士(1、2届)、褚君浩研究员(3、4届)、陆卫研究员(第5届,现任)先后担任实验室主任,汤定元院士(1、2届)、沈学础院士(3—5届,现任)先后担任学术委员会主任。在国家