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Al2O3／Si（001）衬底上GaN外延薄膜的制备 总被引：1，自引：0，他引：1
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Ａｌ２Ｏ３／Ｓｉ（００１）衬底上制备出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜。厚度为１．１μｍ的ＧａＮ薄膜的（０００２）Ｘ射线衍射峰半高宽是７２ａｒｃｍｉｎ,薄膜的玛赛克（ｍｏｓａｉｃ）结构是Ｘ射线衍射峰展宽的主要原因,室温下ＧａＮ光致发光谱的带边峰位于３６５ｎｍ。 相似文献
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反射电子显微术是利用固体表面的反射电子直接观察表面的实验技术,在最近十几年来得到了较大的发展.将此技术应用到晶体表面微观结构的直接观察上,能以较高的分辨率揭示表面结构的细节,如单原子高度台阶、位错等,并可进行表面结构变化的动态观察,从而使反射电子显微术成为表面科学研究的有力工具.它的发展研究无疑会对表面科学产生重要的影响.本文报道了用JEM-200CX电子显微镜对GaAs(110)解理面观察结果. 相似文献
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