计算半导体表面杂化电子态的简单方法

根据原子杂化轨道指向与键方向一致的假设,结合原子的电子轨道正交归一性条件,导出了共价半导体表面原子杂化轨道与原子结构位置的关系式。通过对GaAs(111)-2×2真实表面的计算及与较复杂理论的比较,表明这种方法既简单又可靠。     

用成键轨道近似研究GaAs(110)表面声子

一、引言 半导体表面原子并不处于由体内结构所决定的“理想”位置,而是出现各式各样的驰豫与重构。由于表面结构问题的复杂性,一个表面的确定往往需要各种方法相互印证。尽管国际上在这方面做了大量工作,但被公认已被解决的却极少。由于表面振动能提供表面几何结构与表面电子结构相互关联的直接实验验证途经,表面振动可能会在表面结构问题上起重要的作用。同时,表面振动对表面动力学行为及热力学性质均有重要影响,对其进行逐步深化的研究是很需要的。     

晶格对正电子湮没的影响的讨论

本文利用Green函数方法,研究包含有晶格与电子以及正电子相互作用线的一阶梯形图,在取电子与正电子间有效位势为静态极限下,对有关的低阶Feynman图作了计算,从而得出p>p_F的正电子部分湮没速率公式,由此进行了数值计算.并与Hede-Cartotte的理论结果作了比较与讨论.