集成化按需起搏电路的设计考虑

埋藏式起搏器的出现,使一大类致命的心律失常患者能依靠起搏器而得到长期有效的治疗.20年来发展很快,安装人数由60年代初的1～2千人/年发展到去年的25万人/年,在美国每百万居民中平均已有1500人依赖起搏器而生活.促使它发展的主要原因是用起搏治疗患有高度房室传导阻滞、有症状的心动过缓及病窦综合症的患者能延长病员的寿命,降低猝死率和提高生活质量;其次是起搏技术上的进步使起搏器的安装简便、安全,易于为人们所接受.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构

半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10~(-2)％杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有效方法,常规光源的强度不足以测量到足够的衍射振荡来分析δ掺杂的结构。同步辐射光源是高亮度的X射线光源,它已成功地用来测量δ掺杂的结构。 北京同步辐射装置漫散射实验站所用光源来自4W1C光束线,X光经一块压弯的三角形硅单晶单色化并水平聚焦后,再由一块全反射柱面镜进行垂直聚焦和滤去高次谐波,在样品处得到光斑大小为0.3mm×0.5mm、垂直发散度为0.1m rad的单色光。本实验中,三角弯晶为Si(111),所得的单色光波长为0.154nm。衍射平面在垂直方向,以利用同步光的水平偏振和垂直发散度小的特点。样品和探测器     

二氧化硅中可动正离子在Si-SiO_2界面的定域群聚现象及其物理原因的探讨

SiO_2中不可避免地存在着为数众多的可动正离子(最多的是Na~ ).它的存在严重地影响着硅器件的性能,因而研究SiO_2中可动正离子的行为,特别是在Si-SiO_2界面的行为,是非常必要的.本文研究可动正离子在Si-SiO_2界面的横向分布情况以及这种分布的物理原因.Distefano与Williams用扫描内光电法测得了Si-SiO_2界面可动正离子非均匀分布的结果,Williams还用镜象势理论对理想界面进行了计算.由于实际界面与理想界面多有不同,我们也用扫描内光电法对自己的样品作了测量,得到可动正离子在界面非均匀分布的结论.通过进一步的实验,我们还看到这种非均匀分布不是随机的,而是定域的.再结合液晶显示法,进而研究了这种非均匀分布的物理原因.