H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究

本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。     

一种硅原子簇边界处理方法

近年来,用量子化学—原子簇方法研究固体的电子性质,例对固体表面、体内杂质和缺陷、无序体系的电子结构等的研究越来越引起人们的重视。原子簇模型的基本思想是以有限大的原子团模拟无限大的体系。共价固体硅原子簇边界悬挂键的处理,对计算结果影响很大。边界饱和原子的选取,是原子簇方法中一个十分重要的问题。Tong曾用氢原子饱和边界,发现所计算的电子态密度结果中禁带较宽;张开     

半经验分子轨道理论方法(CNDO/2)在非晶硅基础研究中的应用

本文对半经验分子轨道理论方法(CNDO/2)做了简要介绍,对其用于非晶硅基础研究的优越性做了概要论述。在此基础上,通过原子簇模型化计算分别对Si体系下述几个基础性课题进行了探索性研究。     

硅表面上电荷分布的晶向关系

本文分别用Si_(16)H_(21)模拟Si(113),Si_(35)H_(30)模拟Si(112)高密勒指数表面,用Si_(37)H_(39)模拟Si(111)及Si_(19)H_(18)模拟Si(100)表面.通过SCF-LCAC-CNDO理论计算,研究了各种表面上的净电荷分布.发现,各种表面上存在不同程度且不同分布的净电荷,表面原子sp~3轨道中的电荷做了重新分布,净电荷较多地局域在悬键方向上.表面上台阶的存在强烈地影响着表面净电荷转移的性质.此现象在Si(112)面上尤其突出.本文据此解释了不同晶面上附加表面电偶极子及态密度等实验结果.     

a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响

实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3~+、T_3~-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。     

固体电子结构的原子簇-量子化学理论计算

本文报道原子簇—CNDO量子化学方法在固体材料电子结构理论研究方面的某些应用,包括:(ⅰ)电子态密度和Fermi能级的模型化计算;(ⅱ)利用双原子能量分割术研究材料中的原子间相互作用及成键特性;(ⅲ)某些多原子分子和原子团振动力常数的计算。并与其它理论和实验结果合理地进行了比较。