非晶硅多层膜中氢的核反应分析研究

本文利用8.42MeV窄共振核反应~1H(~(19)F,αv)~(16)O研究了辉光放电制备非晶硅多层膜中氢的深度分布、游动性及其随退火温度的关系。引进高斯分辨函数简化了数据处理过程,得到氢浓度随深度的分布情况,对氢污染及测氢标准进行了讨论。     

BF_2~+分子离子注入硅中的硼原子深度分布的核反应分析研究

分子离子注入半导体材料是一个有效的降低杂质原子能量,快速行成非晶层的有效方法。用BF_2~+分子离子注入硅中形成的浅结器件可能较B~+原子离子注入更为有益。测定和研究BF_2~+分子离子注入硅后硼原子的深度分布,并与B~+原子离子注入的深度     

康普顿散射无损检测原理与应用研究

利用康普顿散射进行无损检测具有直接显示,检测速度快和易于计算机控制等优点,作为其它无损检测方法的补充,在工业生产中有着特别的应用价值。近年来,这种检测方法受到国内外的重视,有了较快的发展。Argento等人在美国军方支持下研制的用计算机控制的这样的检测装置,对炮弹装料进行检测可达每分钟一个的检测速度,能可靠地鉴別裂缝、空穴和密度低等缺陷,以及缺陷的位置,并已生产作为炮弹的常规检测手段。 本工作对康普顿散射无损检测的原理和检测条件进行了分析,建立了基本的测试装置,用     

高纯锗—塑料闪烁体反康普顿 γ 能谱仪

本文报告了一台采用自制大塑料闪烁体作反符合屏蔽的高纯锗γ能谱仪的结构及主要性能.主探测器体积为77C.C.,对1332kev 的γ射线能量分辨率为1.90Kev.相对效率为13%.符合探测器采用φ76×76mm 的低本底 NaI(TL)探测器。作为反符合屏蔽的环探测器为φ500×500mm的自制大塑料闪烁体.在有物质屏蔽和反符合屏蔽条件下,谱仪在50Kev—2700Kev 能区的积分本底为31CPM.在源距为3—4cm 处,对~(137)Cs 源的康普顿减弱因子为4.1,峰康比为320.     

质子激发的γ射线分析测定渗氮钢表面的氮含量

一、引言 相当长时间以来,已经确定氮渗入(或注入)金属合金表面能大大改善其性能,诸如使其表面具有高的硬度、好的耐磨性和抗蚀性,以及延长疲劳寿命等。气体渗氮工艺已在生产中广泛推广使用。有关氮的渗入(或注入)的新技术、新工艺和新设备正在深入研究和不断发展。但常规的渗氮质量检验和工艺的控制主要依赖于金相的观察和硬度的测量,不能给出氮含量     

碘化钠(铊)塑料闪烁体反康普顿γ谱仪

本文述述了反康普顿碘化纳(铊)——塑料闪烁体γ能谱仪在建立了物质屏蔽和对主探测器.符合探测器和环探测器进行了更换和改进之后所测量的主要指标.在~(137)Cs 源距主探测器为4厘米处测得的康普顿减弱因子为3.8,在铅室外和在铅室内加反符合屏蔽下,在0.05—2.5Mev 能区积分本底之比为397倍.并对各种改进情况进行了讨论.