电子束曝光中能量沉积过程及沉积能分布规律

电子束曝光(Electron beam lithography,简称为EBL)是研制亚微米线宽VLSI的重要手段。入射电子束在胶和衬底中散射并沉积能量,获得能量的胶分子的分子量发生变化。然后依分子量大小作选择去除得到胶图案。胶中某点分子量变化的量值取决于该点上的沉积能密度。因此入射束的散射和能沉过程及沉积能的分布是影响曝光分辨率的关键因素。