含碳或氟非晶硅合金膜的制备及其特性的初步研究

我们仍在PCTD法装置中通入SiH_4+CF_4的高纯混合气体,利用射频辉光放电分解SiH_4+CF_4,获得等离子体生成物,这些生成物在气流和电场作用下将传输到直流辉光淀积区,在衬底片生上长出含碳或氟的非晶硅合金膜。文中对该种膜的红外吸收光谱做了分析。用核反应微量无素分析测得了膜中的氟含量。用椭偏仪测得的数据计算出膜的折射率,且做了进一步的分析。对膜的X-射线衍射谱做了必要的分析。为进一步研究这类合金膜提供了一定的信息。     

G.D.非晶硅薄膜中掺硼的作用

近些年来,由于非晶硅太阳能电池及其它非晶器件的新颖性引起人们的极大兴趣。在非晶硅器件的研制过程中,置换性掺杂是一项重要的工序。而掺杂后对非晶硅薄膜结构、电学及光学性质的影响同样是值得深入研究的问题。本文,我们着重研究了用等离子体射频辉光放电法(G.D.法)制备的α—Si:H薄膜中掺硼的性质。工作是分下列三方面进行的。     

用等离子体化学传输淀积[PCTD]法制备非晶硅合金膜及其特性

等离子体化学传输淀积[PCTD]法,是我们用来制备非晶硅合金膜的第二种新方法。在这方法中,我们利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在付蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅和掺杂材料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与H_2及电极和衬底表面起反应,在淀积区电场中的衬底上淀积出非晶硅合金膜。文中对淀积的机理、制备方法以及膜的结构和性质作了报导和讨论。     

非晶半导体超晶格薄膜的制备及其性质

本文报导了a—Si:H/a—Si_(1-())N_x:H非晶半导体超晶格薄膜的制备方法及其量子尺寸效应。     

表面处理对锗晶体管的特性和稳定性的影响

在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在过氧化氢化学腐蚀后再以 AgNO_3加 KNO_3电解液用小电流作电解,然后用大电流进行阳极钝化,则可获得更好的特性和稳定性。合金结 P-N-P 晶体三极管采用苏联ΦΓ9或国产ΦΓ9作涂料,在高低温特性,防潮性及电学特性和稳定性方面,不如用国产ΦΓ9与硫化清漆的混合物作涂料可以得到较好的效果。文中讨论了阳极钝化及掺硫的涂料对晶体管特性和稳定性的作用。     

用TSC技术对B~+注入SiO_2-Si系统硅表面深能级的研究

本文用MOS热激电流(TSC)技术研究了B~ 注入SiO_2—Si系统硅表面的深能级。讨论分析了MOS结构硅表面深能级TSC谱的性质,提出由TSC峰值I_p与偏压V_G的依赖关系来判别硅表面深能级的TSC峰。对B~ 注入的SiO_2—Si系统的TSC实验研究表明,硅表面深能级的位置由于B~ 离子注入及随后的高温退火发生变化,这可能是杂质一缺陷互作用的结果、