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本文根据有关相图中紧邻相区及其边界关系的理论[1-3],提出了一种直接计算垂直截面图的方法。这一方法从相图上的点和线都是两个或两个以上的紧邻相区的边界出发来考虑问题,特别强调相边界与体系边界的区别与联系。这样不仅能计算出垂直截面,而且明确地指出了图上各点和线的物理意义。 相似文献
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垂直截面相图(又称等成分面图)对某些领域的许多实际过程都有重要指导意义,但这种图测定起来比较复杂,直接计算它的方法又尚未见到报道。我们根据有关相图中紧邻相区及其边界关系的理论提出了一种直接计算恒压相图中垂直截面图的方法。要计算垂直截面图,首先必须弄清图上的边界点和线的含义。根据相图中紧邻相区及其 相似文献
3.
应用SiCl_4氢还原法,在改进的常压卧式感应加热系统中进行了低压硅外延生长。生长温度为1050℃—1150℃,压力为160—80乇。对外延层的测试结果表明:低压外延在抑制自掺杂、改善外延层电阻率和厚度的均匀性,减少埋层图型漂移有明显的效果。所作的外延片已成功地用于半导体器件的制造中。 相似文献
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