用微处理机逐点处理法快速测定τ_g的分布和S_g的变化

本文利用线性电压扫描法,对MOS电容的c-t曲线进行逐点处理,得到了τ_g-t、s_g-t下的曲线.由τ_g-t的曲线可以方便地找出τ_g-x的分布.这种方法不仅能将s_g与τ_g分离出来,而且能一次测得τ_g随深度x的变化而变化的关系,以及s_g随表面势变化而变化的讯息.     

电子束蒸发 WO_3-基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果．着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程．     

镓砷磷红色发光二极管中的电子陷阱

本文用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究镓砷磷发光二极管(GaAs_(0.8)P_(0.4)-LED)中的电子陷阱.温度扫描从77K至300K.结果表明,用“磷烷法”和“磷压法”两种VPE工艺制得的样品具有相同的两个电子陷阱,阱陷的浓度与两种工艺间呈现一定的规律.     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

硅MINP太阳电池的多子隧道效应

本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

WO3基H2S气体传感器的研究

介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺，分析了膜的灵敏度和膜的稳定性以及掺金和分步热处理对器件性能的影响     

掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析

在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况，模型的迁移率也是在Ｎ＝Ｎ＾＊处最小，其中Ｎ＾＊随晶粒的增大而减小；分析还表明，体电阻率在Ｎ＞Ｎ＾＊时对于精确估计迁移率的重要性，以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。     

直流溅射法制备电致变色NiO_x膜

材料在外电场或电流的作用下,发生可逆的色彩变化叫电致变色(Electrochromic)现象.电致变色材料在大面积显示、调光囱户(Smart window)以及信息的(彩色的和连续的)贮存等领域,有很好的应用前景.目前研究的重点是若干过渡金属氧化物及其水合物的电化学变色性(Electrochemichromism),其工作模式是:将这些材料制成覆盖在导电(透明)衬底上的薄膜,并成为电池的一个电极,给电极施加电压后,薄膜两侧同时分别注入(或抽取)电子和离     

碳化硅陶瓷热敏电阻的导电机理

利用聚碳硅烷与碳化硅粉混合,采用陶瓷工艺,低温烧成了碳化硅热敏电阻,其lnR-1/T关系具有鲜明的两段线性区.借助两相结构(α-SiC粉被聚碳硅烷热解得到的β-SiC所包围)的电流输运通道模型,用能带理论,计算了一个微导电单元的电导,从而对阻-温特性中反映的两种激活能的本质作出了解释.