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在各种化学蒸气沉积生长排列整齐的纳米材料的合成方法中,阳极三氧化二铝(AAO)模板被广泛采用主要由于容易通过电压和阳极氧化时间来控制其孔径.这里,我们表征存在/不存在催化剂时生长在AAO模板上的碳纳米管和氧化物材料的生长机理.我们还研究了在合成密集整齐排列的纳米结构生长过程中氢气的还原效应.实验结果显示AAO模板本身促进Ga2O3生长机理,氧化物催化剂氢化还原提高了碳纳米管的生长速率和结晶度.氢化还原中使用AAO模板可以很好地控制排列整齐的纳米材料的直径和密度. 相似文献
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