加强新形势下基层水管单位队伍建设的几点思考

作为基层水利工程管理单位,如何以科学发展观为指导,将中央1号文件治水新理念贯彻落实到实际工作中去,实现单位科学发展,是我们迫切需要研究的问题。结合笔者的工作实践,对新形势下如何加强基层水管单位队伍建设问题进行探讨。     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化. 先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量. 利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化. 优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

固相配位化学反应研究 ⅩⅪ 二核簇化合物K_4Ni_2(CN)_6的合成

本文利用气相色谱法研究K_2Ni(CN)_4·H_2O在Hc和H_2气中的热分解配合红外光谱、X-射线衍射和化学分析等方法研究固相分解产物。根据气固相产物的变化,阐明了K_2(Ni(CH_4)·H_2O在Hc和H_2气中的热分解机理,并发现通过K_2(Ni(CN)_4]·H_2O的热分解可制备一价镍的双核簇状化合物K_4Ni_2(CN)_(?).     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中，金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素．确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度．本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程，利用数值计算的方法，计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布，得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系，两者都近似呈线性关系，表面温度和分界面温度相差不大，这与解析方法得到的结果基本相同．研究表明，通过数值方法给出材料中温度场分布情况，可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度．     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.