首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10篇
  免费   0篇
丛书文集   1篇
现状及发展   1篇
综合类   8篇
  2016年   1篇
  2013年   1篇
  2011年   3篇
  2010年   3篇
  2009年   1篇
  2004年   1篇
排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
雷震  马德军 《科技信息》2010,(20):I0287-I0287
膨胀型聚苯乙烯泡沫(EPS)板在使用过程中就有可能出现EPS板粘结不牢、空鼓脱落、裂缝、窗角开裂、墙面出现波浪平整度差、涂料层龟裂、卷皮、脱皮等质量通病,为预防以上质量问题,在外墙外保温施工中细部技术处理应该注意以下几点供大家共同参考学习.  相似文献   
2.
刘雪莉  马德军 《科技信息》2010,(20):I0074-I0074
档案工作管理应融入新技术、新观念、复合型人才.  相似文献   
3.
材料杨氏模量的纳米压入识别   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对非理想Berkovich 压头压入弹塑性固体的加、卸载曲线所进行的近似解析分析和数值分析表明, 在材料杨氏模量与压入参数间存在新的近似函数关系, 该关系把名义硬度和综合杨氏模量的比值与卸载功和压入总功的比值联系起来. 其中名义硬度Hn被定义为最大压入载荷Pm除以压头对应于最大压入深度hm时的横截面积A(hm), 即Hn = Pm/A(hm). 结果材料杨氏模量的识别可以通过仅仅测定压头的最大压入载荷、最大压入深度以及压入功来实现, 而不必利用初始卸载斜率和投影接触面积. 因此将该方法称为“纯能量方法”. 经5种材料杨氏模量的纳米压入识别实验证明, “纯能量方法”较现有方法具有较高的识别精度.  相似文献   
4.
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.  相似文献   
5.
浅谈房地产营销策略及创新   总被引:1,自引:0,他引:1  
雷震  马德军 《科技信息》2010,(20):I0081-I0082
1.我国房地产营销策略的发展过程经历的六个阶段.2.说明为了赢得市场竞争,我国房地产营销策略的创新.3.房地产营销的出发点应是以人为本和诚信经营,这是需求导向型经济的客观要求.  相似文献   
6.
马德军  杨晶 《奇闻怪事》2009,(8):197-198
文章分析发路桥施工产生裂缝的原因,提出了防止裂缝的技术措施.  相似文献   
7.
浅谈建筑工程施工测量中常见问题和注意事项及质量监控   总被引:1,自引:0,他引:1  
孙兵  马德军 《科技信息》2011,(16):I0343-I0343
1.工程施工测量常见问题及原因2.工程施工测量中应注意的事项3.工程测量工作的质量监控  相似文献   
8.
1.做好施工材料组织计划;2.熟知施工工艺;3.严格施工放线控制;4.严把施工质量管理程序;5.强化施工安全生产;6.抓好施工生产成本控制。  相似文献   
9.
基于有限元Abaqus软件,采用虚拟裂纹闭合法的基本原理对ISO15732-2003所提SEPB法测试陶瓷材料断裂韧性进行有限元数值计算.以Si3N4、ZrO_2、Al_2O_3、ZTA、SiC五种陶瓷材料SEPB法标准实验为例,分别将虚拟裂纹闭合法计算所得断裂韧性值与标准实验测试值进行对比.结果表明:Si3N4、ZrO_2、Al_2O_3、ZTA、SiC五种陶瓷材料断裂韧性的数值计算值与实验测试值较为一致,其偏差仅分别为1.77%、1.76%、1.82%、1.55%和1.82%.进一步验证了虚拟裂纹闭合法计算断裂韧性值的有效性,同时为该方法的工程应用提供一定的理论基础.  相似文献   
10.
谭志远  马德军 《科技信息》2011,(20):I0329-I0329
1、新疆建筑节能工作的现状。2、新疆地区发展建筑节能的建议与措施。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号