在课堂教学中培养学生的思维品质

培养和发展学生的思维品质，提高学生的思维能力是课堂教学中的主要出发点之一。     

透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度

利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射法相同.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

对“不合格烟花爆竹”说不

烟花爆竹是易燃易爆产品，直接涉及人身及财产安全，如产品存在质量问题或使用不当，后果不堪设想。前一段时间多家媒体报道，春节前，国家质检总局对烟花爆竹产品质量进行了监督抽查，发现近五成的烟花爆竹存在质量问题，换言之，市场上有一半烟花爆竹成为潜在的“定时炸弹”，给消费者带来极大的安全隐患。     

SOS膜载流子迁移率的纵向分布

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

对"不合格烟花爆竹"说不

烟花爆竹是易燃易爆产品,直接涉及人身及财产安全,如产品存在质量问题或使用不当,后果不堪设想.前一段时间多家媒体报道,春节前,国家质检总局对烟花爆竹产品质量进行了监督抽查,发现近五成的烟花爆竹存在质量问题,换言之,市场上有一半烟花爆竹成为潜在的"定时炸弹",给消费者带来极大的安全隐患.