静电加速器用高频离子源的设计与调试

设计和调试了一台4MV静电加速器用高频离子源;研究了诸因素对离子源起弧的影响;测试并分析了束流与振荡器板压、离子源气压和引出电压的关系;在580V板压、8×10-4Pa气压1、.65kV引出电压和21kV聚焦电压的状态下,得到了束流为178μA的稳定离子束.     

4MeV静电加速器的改造与耐压特性研究

介绍静电加速器的结构以及调试中出现的离子源不放电、控制系统失灵、加速管破裂等技术问题,分析出现这些问题的原因以及解决办法,研究了绝缘气体的成分、压力以及湿度对加速器耐压特性的影响,在11．5MPA由氮气、二氧化碳和六氟化硫组成的绝缘气体(其体积比为75: 20:5)下,得到了3．1MEV、106ΜA稳定的质子束。     

提高高频离子源性能的研究

研制了一台4MV静电加速器用高频离子源;测试并分析了振荡器板压、离子源气压和引出电压对离子束品质的影响;在575V板压、7.7×10-4Pa气压、1.6kV引出电压和21kV聚焦电压的状态下,得到了束流为169μA、质子比为88%的稳定离子束.     

高频离子源物理参数对离子束性能的影响

作者从静电加速器用高频离子源的结构出发,通过实验台上的调试,测试并分析了振荡器板压、气压和引出电压对离子束性能的影响.结果表明,在575 V板压、7.7×10-4Pa气压、1.6 kV引出电压和21 kV聚焦电压的状态下,可得到束流为169μA、质子比为88%的稳定离子束.