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近年来,液晶电视的需求呈现强劲的增长势头.多畴垂直取向(MVA)模式的液晶显示器(LCD)与其他显示模式的LCD相比,具有高对比度、宽视角及快速响应等特点,但需要制作昂贵且复杂的凸起结构以保证液晶分子的取向,因此如何避免制作凸起结构成为许多研究者的课题.为解决上述问题,采用新颖的增强边缘电场效应(AIFF)MVA技术,... 相似文献
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经验模态分解(empirical mode decomposition,EMD)方法不能解决探地雷达信号的混频现象,文章提出了探地雷达信号时域集合经验模分解(ensemble empirical mode decomposition,EEMD)分析方法。通过分析可知,EEMD方法可以克服EMD方法的模态混频现象。文中由时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)方法正演出探地雷达模型的信号,利用EEMD方法分离探地雷达特征模量,并对不同的特征模量进行分析,将受到白噪声干扰的探地雷达正演信号通过EEMD方法去噪,结果表明去除干扰效果显著。 相似文献
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介绍了一种以半导体激光器为光源,以新型CMOS面阵图象转换器件为传感器的智能型覆铜板测厚系统。该系统具有较高的测量精度和稳定性。 相似文献
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文章通过阐述机械设计制造及自动化专业生产实习的意义、内容和计划,深入探计了实习对于能力培养和素质培养的意义,以此进一步激发学生的潜能和提升个人的能力。 相似文献
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A 4 Mb embedded silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory was developed with a 0.18 μm CMOS logic compatible technology. A reverse programming array architecture was proposed to reduce the chip area, enhance the operating window, and increase the read speed. The charge distribution was analyzed to optimize the programming and erase conditions considering both the operating speed and the endurance performance. The final test chip has a good endurance of 105 cycles and a data retention time of at least 10 years. 相似文献
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许军 《西安科技大学学报》2001,21(3):243-245
人体血液细胞的分类计数对临床诊断有着重要意义,而人体内各种细胞的识别和诊断在医学上更具研究价值.在PC机上利用真彩色细胞图像和神经网络技术建立了具有自学习功能的细胞诊断与分析系统,有效地实现了血液细胞的三分类和白细胞的五分类、异常细胞的检出和收集.系统还提供了特征库的建立与编辑功能,可不断扩大和完善系统功能. 相似文献
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对肃州区农业灌溉现状进行了分析,指出肃州区在发展节水灌溉中存在的问题,提出了发展节水灌溉的对策,为今后大力发展节水灌溉提供有益参考.同时,也为同类地区推广节水技术,发展节水灌溉提供了借鉴. 相似文献
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High quality strain-relaxed thin SiGe virtual substrates have been achieved by combining the misfit strain technique and the point defect technique.The point defects were first injected into the coherently strained SiGe layer through the "inserted Si layer" by argon ion implantation.After thermal annealing,an intermediate SiGe layer was grown with a strained Si cap layer.The inserted Si layer in the SiGe film serves as the source of the misfit strain and prevents the threading dislocations from propagating into the next epitaxial layer.A strained-Si/SiGe/inserted-Si/SiGe heterostructure was achieved with a threading dislocation density of 1×104cm-2 and a root mean square surface roughness of 0.87 nm.This combined method can effectively fabricate device-quality SiGe virtual substrates with a low threading dislocation density and a smooth surface. 相似文献