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1
1.
离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型
王德宁
胡维央
水海龙
《应用科学学报》
1984,2(3):247-252
应用离子注入技术制作
n+-p-π-p
+
拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子
M
与电压间关系,详细讨论了电场强度
E
对击穿电压
V
B
,耗尽层宽度
W
和有效离化率比值
k
eff
等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.
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