a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

简讯

我校物理系超导研究组在高温超导材料研究中取得新进展,已于4月25日制成起始转变温度125K,零电阻84K的铊钡钙铜氧超导新材料,以后不断改进工艺,零电阻温度已提高到108K,並正在继续改近,他们采用了和国外报道的不同的材料和独创的工艺,除零电阻略     

高精度玻璃配料微机控制系统

介绍一种用于玻璃原料配料的计算机控制系统.系统机械结构、硬件电路均按高精度要求设计,软件使用RC低通数字滤波与滑动平均滤波结合的复合滤波技术,以及预测控制算法,系统称量相对精度可达到0.1%.给出了系统框图和程序流程图.     

生成Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系超导体高Tc单相材料的温度条件研究

在不同温度下热处理的Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3Oy超导体经液氮淬火或自然降温后,分析其相结构及交流磁化率——温度关系,发现低Tc(80K)相只在840℃以下(到820℃左右)才生成,在845℃～855℃温度范围内只有高Tc(110K)相生成。据此,用高温烧结之后,快速降温,越过低Tc相生成温区,在较低温度下退火,然后用自然降温的方法制成了110K单相的Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系超导体。     

真空蒸发微晶硅和无定形硅薄膜电导研究

我们在140K到450K的温度范围内测量了真空蒸发的无定形和微晶硅薄膜的电导,结果显示出氢处理前后两种材料电导温度特性变化的明显差别。本文给出了新的解释并估计出了它们中的缺陷密度。     

a-C∶H做硅太阳电池AR膜的研究

本文报道了低压气相直流辉光放电沉积a-C:H膜和膜的部分物理、化学性质.这些性质非常接近于硅电池AR膜的最佳要求.在硅单晶太阳电池表面沉积1000(?)左右的a-C:H膜作为AR膜,在部分电池上获得了与SiO AR膜可比的结果.