PECVD Si_3N_4膜构成MNOS结构的退火行为

从实验上研究了 PECVD 法 Si_3N_4膜构成的 MNOS 结构经不同类型的热处理后其界面性能的变化,并对有关效应的作用机制进行了探讨。     

稀有金属界面效应的作用机理

有关过渡金属钯、铑和稀土金属镧、钆都在Si—SiO_2界面上呈现出与金类似的负电效应的实验结果我们已作过报导,下面着重讨论一下上述杂质引起的负电效应的作用特点以及它们降低界面态的机制。就负电效应而言,钯、铑与镧、钆是相同的,但具体细节不尽相同。对于铑(钯类以),界面结合能降低的事实说明,在结构中它们容易呈现受主型局域态,表现出负电性。这需要从电中性和几何适应原则两方面看。首     

金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al₂O₃界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au (Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.     

金在氮化硅—硅界面的电学效应

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同     

PECVD 氮化硅薄膜的淀积与刻蚀

随着微细加工的研究,近年来等离子技术已发展成为大规模和超大规模集成电路(LSI 和 VLSI)工艺的重要组成部分。PECVD 等离子增强淀积 Si~3N~4除具有 APCVD 和LPCVD 的优点外,等离子激活所需的低温度范围与电极使用的 Al、Au 等金属化相容,则是 PECVD 法的突出优点。等离子刻蚀具有高分辨率和各向异性。等离子刻蚀 Si~3N~4膜,比起常规的热磷酸湿法刻蚀可以容易地达到 VLSI 工艺规范要求。其线度为微米级     

过渡金属钯(Pd)对Si/SiO_2界面电特性的影响

继钆(Gd)之后,作者们发现,Pd是又一种具有特殊界面效应的金属杂质。与金(Au)、钆(Gd)类似,掺Pd后同样能引起MOS高频和准静态 C—V曲线同时沿正压方向平移。显示了Pd引入了负电荷或使原有界面正电荷减少。氧气氛下进行的不同温度退火处理的结果如图1,看出,随着温度的升高Pd电荷Qpd/q慢慢增大,约在1100℃