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随着半导体集成电路的超大规模化和集成光学领域科研工作的进展,微细图形的线条宽度已进入亚微米数量级.由于衍射的限制,传统的光刻工艺不能满足要求,同时,由于钻蚀现象,湿法化学刻蚀也不能适应微细图形的加工.人们借助于电子束曝光和离子束刻蚀,以获得高分辨率的图形.反应离子束刻蚀RIBE(Reactive Ion Beam Etchins)是一项很有潜力的微细加工技术,它具有刻蚀速率快,选择性好,分辨率高,无钻蚀和表面损伤小等优点.本文报道CF_4反应离子束刻蚀带有电子束抗蚀剂PMMA 掩模的SiO_2的一些实验结果. 相似文献
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