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低能质子引起的原子L壳的电离 总被引:2,自引:0,他引:2
利用270—450Kev 质子轰击 Pd、Ag、Cd、In、Ta、Au 和 Pb 厚靶、测得 L X—线产生截面,并与ECPSSR 理论作了比较. 相似文献
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近年来霍尔效应在研究半导体材料方面有着广泛的应用。霍尔元件的主要用途:1、测量磁场;2、测最交、直流电路中的电流强度和功率;3、转换信号,能把直流电流转换成交流电流,并对它进行调制,放大直流或交流信号等;4、对各种物理城进行四则,乘方、开方运算。在确定纯度、材料的补偿度,外延异质结材料的电学性质,高阻材料导电类型的判断及新材料的研究等方法中,都有它独特的作用。 相似文献
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本文报导了一个强直流输出的双等离子体氢(氘)离子源.当引出电压为18kv 时,可输出100mA 的氢离子流.利用90°偏转磁分析器对引出束流的质量成分作了分析,质子比可达到64%.采用多缝探针法和离子束感光法测定了束流发射度和亮度.在输出流强为50mA,束能量为16kev 时,束流的归一化发射度(相空间面积×βΥ/π)和归一化亮度分别为0.48mm·mrad 和4.4×10~6A/cm~2·rad~2.在不同的工作参数下,测定了源的运行特性. 相似文献
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前言众所周知,电磁铁是科研、生产和实验室里常用来产生强磁场的装置。虽然它的种类较多,但从原理上讲,电磁铁相当于一个具有气隙的铁芯线圈。 相似文献
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本文报导了我校600KV 高压倍加器的高压电源,离子源供应,离子束后传输系统的技术改造.经一多年来实际运行,通过一些植物理实验及应用研究工作,如质子—原子碰撞内壳层电离和低能量 PIXE对表面层轻元素杂质浓度分析等实验表明,该器性能稳定,运行可靠,测量结果满意. 相似文献
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