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从节能的角度出发,采用开关控制电路对传统彩电的调谐电压形成电路、视放电压形成电路以及消磁电路做了改进,可有效地降低彩电的待机功耗。 相似文献
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脉动冲击是影响煤矿液压系统稳定程度的重要因素,目前有关脉动冲击抑制的研究工作大都集中在中高频段,针对低频段脉动抑制研究较少。结合H衰减器的滤波特性,提出一种双套筒式脉动衰减器,用于低频滤波作业,利用电液比拟法建立等效电路图,通过数值仿真分析衰减器结构参数对滤波特性的影响规律。结果表明:内层套筒结构参数会影响脉动衰减器固有频率点位置及个数;该衰减器与传统衰减器相比较,低频段滤波性能佳,同时可对中低频段脉动冲击进行一定抑制;结合实际脉动工况,调整结构参数,实现有效滤波。 相似文献
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研究S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS_2能带结构、态密度和光学性质。计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765eV。S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS_2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧。在能量为8.93eV时,S缺陷对单层MoS_2的光学性质影响极低,对139nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料。 相似文献
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在导出电视信号频谱的傅立叶表达式的基础上,分析了静止和活动电视图像频谱的性质,得出电视图像(包括静止的和活动的)的频谱能量大部分集中在行频及其倍频mfH附近的狭窄频带内的结论. 相似文献
5.
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,在局域自旋密度近似下,系统研究了Fe掺杂SiC纳米管电子结构和磁性.计算结果显示用Fe替代C时SiC纳米管显示反铁磁性,而Fe替代Si却出现铁磁性特征,是一种半金属磁性材料.形成能计算结果显示铁磁性结构比反铁磁性结构低3.2eV,Fe原子更容易替代Si原子,两种掺杂的基态都诱发了自旋极化现象.同时,掺杂的Fe原子都向管外发生了一定的弛豫,Fe替代C掺杂发生了较大的几何畸变,但掺杂并未破坏SiC纳米管整体几何结构.能带结构和态密度计算显示在费米能级附近出现了更多弥散的能级分布,特别是Fe替代Si出现了明显的自旋劈裂现象,发生了强烈的p-d杂化效应,自旋电子态密度的计算结果揭示磁矩主要来源于Fe原子未成对3d电子的贡献.这些结果表明过渡金属掺杂SiC纳米管也许是一种很有前途的磁性材料. 相似文献
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分析了当前电子技术实验存在的问题,提出了以培养实践能力和创新精神为目标的现代电子技术实验教学新体系和教学新模式,指出了实践过程中解决问题的根本途径。 相似文献
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对物理实验CAI课件设计的一般步骤及其原理特点进行了分析.给出了物理实验CAI课件的基本框架图. 相似文献
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在导出电视信号频谱的傅立叶表达式的基础上,分析了静止和活动电视图象频谱的性质,得出电视图象(包括静止的和活动的)的频谱能量大部分集中在行频及其倍频mfH附近的狭窄频带内的结论,提出提高频谱利用率的观点。 相似文献
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目的研究纳米金刚石阴极电泳工艺对场发射电流的均匀性、稳定性以及场发射特性的影响。方法用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱观察了涂层的形貌和结构,经过高温真空退火后测试场发射性能,分析样品发光照片与涂层均匀性的关系,探讨热处理后场发射性能提高的机理。结果基底钛预处理要保持适当的平整度及光滑度,过度粗糙及过度光滑都不利于涂层的均匀性沉积。在同样的工艺条件下采用异丁醇溶剂配方后的金刚石涂层表面均匀性最好,场发射阈值电场最小,为5.5V/μm;当电场强度为15V/μm时,场发射电流密度为85μA/cm2,而且场发射电流的稳定性最好,发光效果最佳。结论异丁醇分散的电泳液制备的纳米金刚石阴极涂层均匀性最好,热处理后场发射性能最佳。 相似文献
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目的突破电视使用的条件,降低能源消耗,方便地收听丰富的电视节目。方法分析了电视机伴音电路的工作原理,利用TDQ-3型全增补高频头、7680中放盒、LM386伴音功放集成电路和CD4022计数/分配器设计了一种45~870MHz全频道电视伴音接收机。结果给出了设计原理图和PCB图。调试表明,灵敏度高,选择性好,可以接收有线电视的全频道电视伴音和部分调频广播节目。结论扩展了电视技术的应用领域。 相似文献