无磁场冷阴极电离真空规

冷阴极电离真空规是一种应用得极为广泛的高真空量具,但目前已有的各种设计(Penning式或Redhead式)都必须附有一个较强的磁场,因而在使用上带来很多不便。本文提出一种新型的、不同于现有结构的无磁场冷阴极电离真空规。它的工作原理可简述如下:规管内装有二块平行板电极,并加以高频电场。这种电极受到任何来源的电子轰击时将产生次级电子,而在电极发射的次极电子满足下列两个条件时: (1)谐振条件——电子渡越两平行平板电极的时间为高频电场半周期的奇数倍; (2)能量条件——电子在高频电场的作用下轰击电极表面的能量达到使此材料的次级电子发射系数大于1,就能引起放电。在放电过程中单位时间内形成的正离子数是和这空间气体分子的密度有关的,因此测量正离子流就可以指示相应的气体压强。本文叙述了新型规管的详细结构、作用和工艺,以及全部电源供给和测量电路。还讨论了规管各电极的电参量特性以及如何选择适宜的工作点。对于我们给定的规管结构和电参数所是的校准曲线在压强为10(-3)～10(-6)乇范围内具有很好的线性。这种新型的设计具有一般冷阴极电离真空现的全部优点,此外还无需磁场和高压电源。实验还证明它的放电触发时间仅为数十微秒。     

大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

在制造VLSI集成电路中,用快速的束退火技术代替常规的高温退火可以保证晶格损伤的恢复,而且杂质再分布大大减小.从而满足浅结和速度方面的要求,这种束退火技术日益为人们所重视.例如快速的电子束对VLSIMOS器件的快速退火;利用多次扫描电子束对As~+注入n-沟MOS器件的源漏的快速退火等.本文描述了用一种新型的低能大面积冷阴极电子束的退火技术,并在4ETPM-LSTL(低功能肖特基电路)制作中的应用.