不连续二阶周期边值问题的可解性

考察了一类非线性项含有一阶导数的二阶周期边值问题的解的存在性,其中非线性项是Carathèodory函数.通过构造非线性项的高度函数并且利用Leray-Schauder不动点定理建立了两个存在定理.第一个定理表明只要高度函数的积分是适当的,这类问题至少有一个解.第二个定理表明当非线性项在无穷远处增长的极限是一个无界函数时在适当条件下这问题仍可能有一个解.     

把脉人文问题看中国城市化趋向

西方城市化的前车之鉴告诫我们,中国城市化发展千万不能轻视人文生态的建设,要在科学发展观的统领下,加强人文与科技的和谐发展.从我国人口包袱、生态"动态守衡"这两大基本现实问题出发.寻求一条能节约物质资源、开发人力资源、促进城市生态和谐、具有中国特色的城市化道路.     

含一阶导数的奇异二阶两点边值问题的可解性

应用Leray—Schauder不动点定理考察了含一阶导数的奇异二阶两点边值问题的可解性。结论的主要条件都是局部的，即只要非线性项的主部在其定义域的某个有界子集上的“高度”是适当的，该问题必然存在解或者正解。     

论新时期伊朗在世界战略格局中的地位

伊朗是中东地区的大国,在中东乃至整个伊斯兰世界影响极大,在世界战略格局中占有重要地位.进入21世纪以来,随着国际形势的风云变幻,"一超多强"的世界战略格局更加明显.分析伊朗在新的世界战略格局中具有新的特点和重要地位,提出新时期伊朗应采取的对外战略.     

岩盐溶腔渗透率研究的一些进展

岩盐溶腔由于其安全、经济的优势，在国外能源储备中得到了广泛的应用，岩盐的渗透率对溶腔的稳定性有着重要的影响，但由于岩盐是一种特殊的软岩，其渗透率的影响因素比较复杂，由于压力是影响岩盐渗透率的重要因素，目前，国内外对这方面进行了深入的研究，并取得了一些进展。     

一种新的有机磷降解酶基因ophc2的克隆与表达

将来源于假产碱假单胞菌(Pseudomonas pseudoalcaligenes)的有机磷降解酶OPHC2进行了N端及内肽的氨基酸序列测定, 根据得到的氨基酸序列设计合成了简并引物, 通过PCR和反向PCR从Pseudomonas pseudoalcaligenes中克隆出有机磷降解酶基因ophc2. 编码基因全长975 bp, (G+C)含量为63%, 有一个可读框, 编码324个氨基酸, 酶蛋白理论分子量为36 kD. 编码基因的核苷酸序列分析表明,与目前发表的有机磷降解酶基因相比同源性很低, 最高的只有46.4%, 说明这是一个新的有机磷降解酶基因. 将克隆得到的带有信号肽编码序列的和不带信号肽编码序列的有机磷降解酶基因, 分别与载体pET-30a构建重组表达质粒, 得到的表达产物具有正常的生物学活性.     

电子工艺实践“三段式”教学模式探索与改革

针对文华学院电子工艺实训课程的现状,分析了该课程的教学手段单一,实训内容陈旧,实践条件跟不上等问题,针对这些问题该文提出了"三段式"教学方式,即电子工艺的基础训练阶段、电子工艺提高阶段和企业顶岗实习3个阶段。突出实践教学个性化,积极推行企业送教上门,学生到企业顶岗实训,形成以实验室为主体,实验室与企业共同参与教学、管理和训练学生的教育模式。     

深水高温高压井管柱固定型封隔器失封及控制

为保证高温高压条件下深水油气井固定型封隔器的坐封效果,基于深水高温高压井完井测试开井后松弛力、活塞效应、螺旋弯曲效应、鼓胀效应和温度效应对管柱的影响,建立管柱固定型封隔器失封判断方法,并研究相关因素的影响规律。利用改进的正交试验,对产量、坐封深度、松弛力、管柱热阻和环空液体性质等可控因素的敏感性及可行性进行研究。结果表明:封隔器在高温高压条件下存在较高的失封风险;不同可控因素对失封风险的控制效果不同,其中环空液体性质、产量、松弛力和坐封深度的控制效果依次递减;综合考虑措施可行性,应优化环空液体性质、坐封深度和松弛力,必要时采用隔热管等技术,并对产量进行调节,保证坐封效果。     

GNSS-RTK的作业质量控制分析

不同类型的GNSS接收机RTK定位都有各自的出厂精度,可据此估算RTK定位的精度。作业时应该选择精度高的控制点来求转换参数,并且保证被选择的控制点均匀地分布在整个作业区,这样才能保证流动站的测量精度,GNSS-RTK作业的精度与测区内已知控制点的等级和个数有关。本文对RTK质量控制的方法和导致RTK测量发生粗差的原因进行分析。     

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.