沉积温度对直流磁控溅射TiN薄膜结构和表面形貌的影响

利用直流磁控溅射技术,在锆合金基体表面上研究不同基体温度对沉积TiN薄膜的影响.分别采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)对TiN薄膜结构、表面形貌和截面形貌进行了研究.研究结果表明:TiN薄膜在不同沉积温度下晶格取向是不同的;200℃时,TiN为随机取向;300℃时,TiN薄膜以(111)为择优取向;400℃时,薄膜晶化质量不断提高,最后逐渐趋于稳定.300℃时,薄膜的致密性与均匀性较好,表面无明显缺陷.     

基于真空烧结的Al-B4C中子吸收材料的制备及性能研究

B₄C是一种常见的中子吸收材料,采用真空烧结的方法制备不同成分配比的Al-B₄C复合材料,并对材料的微观组织,力学性能进行分析,研究结果表明:基体Al相和增强相B₄C颗粒之间分布比较均匀,气孔裂纹等缺陷较少,复合材料抗拉强度,屈服强度,断后伸长率随着碳化硼含量的增加逐渐减小,复合材料的断裂方式既有B₄C颗粒的解理断裂,也有铝基体的韧性撕裂,以B₄C颗粒的断裂和拔出为主,是韧性断裂与脆性断裂综合作用的结果.     

基于Al-B4C中子吸收材料的Monte Carlo模拟

【目的】探究Al-B4C复合材料的中子吸收性能。【方法】建立中子入射模型,采用Monte Carlo方法,运用MCNP5程序模拟碳化硼含量10%～30%、中子能量0.1～2.0 MeV、材料厚度1～3 cm等参数对Al-B4C复合材料的中子吸收性能的影响。【结果】模拟结果表明,碳化硼含量与中子透射系数基本上呈一次线性下降的关系,且下降趋势逐渐减小。随着材料厚度的增加,材料厚度与中子透射系数呈指数下降关系,下降幅度随着厚度的增加逐渐减弱,中子透射系数随着中子能量的变化呈现起伏趋势,并出现“反转”现象。【结论】由此得出Al-B4C复合材料的中子吸收性能受到碳化硼含量、材料厚度、中子能量的影响。