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1
1.
In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究
李明第
龚小成
朱礽沐
陈益新
徐信慧
《应用科学学报》
1983,1(4):327-336
用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In
1-
x
Ga
x
As
y
P
1-
y
-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5
μ
m的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度
C
p
(
Z
)随深度
Z
的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.
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