单片机应用中的几种抗干扰措施

单片机应用中的几种抗干扰措施郑州大学阎新芳洛阳市职工科技学院张泽民一、前言在工业过程控制和实时控制中，单片微机得到了广泛的应用。由于工业现场环境恶劣，电磁干扰严重，使单片的工作可靠性，稳定性一直不能得到很好的解决。干扰来源主要的三：第一，电网电压不纯...     

细菌聚类新方法: ddT聚类技术分析香根草联合固氮菌多样性

利用高分辨率的聚丙烯酰胺凝胶电泳技术, 采用新型遗传分析仪Li-COR 4300L, 结合测序的双脱氧链终止法原理, 建立了基于16S rDNA序列T碱基分布特征的一种新的细菌多样性聚类技术——ddT聚类技术. 应用该新的ddT聚类技术对分离自香根草的47株联合固氮菌多样性进行了聚类分析, 获得了6个不同的主要类群, 表明香根草联合固氮菌具有较大的遗传资源多样性. 应用SDS-PAGE全细胞蛋白质电泳和DNA指纹图谱方法对该聚类结果进行验证, 结果表明, 该新聚类技术可以应用于细菌的多样性聚类分析. 16S rDNA序列测定和系统发育分析表明, 供试的联合固氮菌分别与?-变形杆菌纲(γ-proteobacteria)的阴沟肠杆菌(Enterobacter cloacae), Enterobacter ludwigii, Pantoea ananatis, 恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida), 荧光假单胞菌(Pseudomonas fluorescens)和β-变形杆菌(β-proteobacteria)的中型假食酸菌(Pseudaci- dovorax intermedius), Mitsuaria chitosanitabida, 越南伯克氏菌(Burkholderia vietnamiensis), 佛莱辛草螺菌(Herbaspirillum frisingense)亲缘关系相近, 其中肠杆菌属、伯克氏菌属和泛菌属是香根草联合固氮菌的优势类群, 分别占分离菌株总数的45%, 19%和13%, 它们一起构成了分离菌株总数的77%.     

领会物理原则提高物理水平

物理学的理论体系是由基本概念、基本定律和重要的定理构成,这无疑需要教师和学生的理解和掌握.但做为更高一层次的要求,学者或教者还应对物理学有个宏观上和方向性的把握,需要掌握物理学的基本原则.     

直肠癌超低位切除术在基层医院的应用体会

目的：探讨直肠癌超低位切除术在基层医院的临床应用原则。方法：通过29例手术病例分析,阐述基层直肠癌患者所采取的最佳手术方式。结论：直肠癌超低位切除术在基层医院应结合农村患者的状况及特点灵活应用,只要严格掌握适应证,正确选择手术方式,就会使保肛手术取得更大的成功。     

人体钙吸收理论探讨

食物在胃里经过消化会出现钙离子（Ｃａ＾２＋）,人体小肠刷状缘能自动分泌出小分子量的氨基酸或短肽链,遇到从胃里过来的钙离子（Ｃａ＾２＋）,则发生螯合反应生成中性的氨基酸螯合钙,这种小分子量的氨基酸敖蛤 钙被小肠以整体形式吸收,吸收后,在细胞里又自动断开螯合键,重新分解分子量的氨基酸螯合钙被小肠以整体形式吸收,吸收后,在细胞里又自动断开螯合键,重新分解成氨基酸和钙离子,钙离子通过门静脉进入血液,被输送     

水稻F1花粉不育基因座S-b的精细定位

杂种不育是水稻籼粳亚种间杂种优势利用的主要障碍, 开展杂种不育基因的克隆和功能分析对于克服和缓解亚种间杂种的不育性具有重要的意义. 本研究在S-b座位初定位的基础上, 根据水稻基因组的序列发展微卫星标记, 将S-b座位定位在微卫星标记PSM8和PSM202之间. 为了精细定位S-b座位, 以S-b座位的近等基因系为材料培育了包含有3910株的F2作图群体, 同时根据PSM8和PSM202界定范围内的基因组序列发展了2个微卫星标记, 2个插入缺失多态性标记和4个CAPS标记. 利用作图群体中的重组株进行花粉育性表型与新发展标记基因型的连锁分析, 结果表明标记W4与S-b座位完全连锁, 而标记A8和A14位于S-b座位的两侧, 与S-b座位的遗传距离分别为0.026和0.038 cM. 将多态性标记与该区域克隆的序列进行整合, 结果表明, 新发展的多态性标记锚定在了AC093089, AC079021和AC134931三个首尾相连的克隆上. 根据各标记在物理图谱上的位置, 最终将S-b座位界定在了A8与A14之间27 kb的物理距离内. RiceGAAS注释表明该区域有7个预测ORF. 该结果为S-b座位进一步的功能分析奠定了基础.     

水稻Ac/Ds系统的Ds转座行为

将玉米的转座子系统Ac/Ds导入水稻基因组中诱导产生突变体的方法已成为构建水稻插入突变体库的主要策略之一. 本研究通过水稻Ds-T-DNA转化纯合体和Ac-T-DNA转化纯合体的杂交, 构建水稻的Ac/Ds双因子转座系统, 对F₁~F₅代的Ds转座行为进行了研究. 通过转座检测, 发现1例Ds转座引起约170 bp T-DNA载体序列的缺失, 另1例Ds转座插入基因组时带有一段272 bp的T-DNA载体序列. 对F₁~F₅代Ds转座的连续检测结果表明, 配子体转座频率随世代的增加而提高, F3代的配子体转座频率达54.2%. 采用TAIL-PCR的方法扩增Ds元件旁侧的基因组序列, 对17个TAIL-PCR产物的序列进行了分析, 发现有5例Ds插入到基因序列中, Ds既可发生邻近位置的转座, 也可发生不连锁的转座, Ds在染色体间的转座频率为33.3%.