PECVD Si_3N_4膜构成MNOS结构的退火行为

从实验上研究了 PECVD 法 Si_3N_4膜构成的 MNOS 结构经不同类型的热处理后其界面性能的变化,并对有关效应的作用机制进行了探讨。     

稀有金属界面效应的作用机理

有关过渡金属钯、铑和稀土金属镧、钆都在Si—SiO_2界面上呈现出与金类似的负电效应的实验结果我们已作过报导,下面着重讨论一下上述杂质引起的负电效应的作用特点以及它们降低界面态的机制。就负电效应而言,钯、铑与镧、钆是相同的,但具体细节不尽相同。对于铑(钯类以),界面结合能降低的事实说明,在结构中它们容易呈现受主型局域态,表现出负电性。这需要从电中性和几何适应原则两方面看。首     

金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al₂O₃界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au (Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.     

钆(Gd)在Si/SiO_2界面的电效应

最近我们发现,把 Gd 引入 Si/SiO_2界面能引起与金类似的高频和甚低频 MOSCV 曲线沿正压方向的平移。显示了界面正电荷的明显减少。图1,2分别给出了在     

金在氮化硅—硅界面的电学效应

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同     

光学过程层析成像技术及其原型系统

提出了一个用于两相流参数检测的红外激光过程层析成像原型系统,并对系统的结构、算法、性能以及特点进行了分析.模拟实验结果表明,光学过程层析成像技术可以获得高成像速度和分辨率,是一种有发展潜力和应用前景的多相流参数检测技术.     

场感应晶体管 Ⅰ-Ⅴ 特性的分析

本文对场感应晶体管的Ⅰ—Ⅴ特性进行了简单讨论后,给出了试验中所遇到的若干异常的Ⅰ—Ⅴ特性曲线.并分析了它所对应的有关电参数的劣化以及可能的物理工艺原因.     

过渡金属钯(Pd)对Si/SiO_2界面电特性的影响

继钆(Gd)之后,作者们发现,Pd是又一种具有特殊界面效应的金属杂质。与金(Au)、钆(Gd)类似,掺Pd后同样能引起MOS高频和准静态 C—V曲线同时沿正压方向平移。显示了Pd引入了负电荷或使原有界面正电荷减少。氧气氛下进行的不同温度退火处理的结果如图1,看出,随着温度的升高Pd电荷Qpd/q慢慢增大,约在1100℃     

煤泥水处理技术与实践

针对选煤厂煤泥水处理内容,结合田庄选煤厂具体实践和探索,就相关技术问题提供了可资借鉴的思路和经验,特别是在优化改造粗煤泥分级系统、采取直接浮选和浓缩过滤工艺、研制双流态微泡浮选机、加强浮选精煤脱水、浮选尾煤的浓缩澄清、煤泥水的闭路循环和煤泥产品的加工利用等方面的做法,有其独到之处。