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采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520mV),响应、恢复时间短(120℃,1000ppmH_2,响应、恢复时间分别为10秒和25秒)的Pd栅氢敏管。比较了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构和Pd/SiO_2/Si结构对恢复时间的影响,解释了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构可有效缩短恢复时间的原因。 相似文献
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