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采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层,作为红外探测器的吸收层,然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用,研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件,以及研究红外探测器器件性能,做好基础工作． 相似文献
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