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1
1.
砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响
吴际森
邹元爔
莫培根
《应用科学学报》
1984,2(1):1-10
用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质
μ
77
在54000~60000 cm
2
/V·s之间,最高达68800 cm
2
/V·s,
n
77
在1.5~2.0×10
16
cm
-3
范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果.
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