碳纳米管与纳电子学

一、我国亦应重视发展纳电子学近些年，人们都会明显地感觉到计算机、通信器材、家用电器等更新换代很快。１０年后会是什么样子，谁也说不清楚。先进国家政府和大企业家都想抢占新的制高点，控制高科技的发展方向，因此不惜投入大量的资金和设立相应的课题。笔者等人（吴全德、薛增泉、刘忠范）深感此事的重要性和迫切性，建议北京大学尽快成立纳米科学与技术研究中心，得到北大领导的重视和支持，遂于１９９７年９月成立了该中心；还向国家自然科学基金委员会提出“纳米电子学基础研究”重大项目建议书［１］，经基金委信息部和化学部受理…     

长春花组织培养与快繁技术初探

本文以长春花无菌苗的芽为外植体进行组织培养。适合芽诱导和增殖的培养基为MS＋0．50mg/L6-BA＋0．06mg／LIBA＋300g/L蔗糖＋7g/L琼脂;适合生根的培养基为1／2MS,0．10mg/LIBA＋0．20mg／LNAA＋30g／L蔗糖＋7g/L琼脂。经生根壮苗培养和炼苗25d后,移栽成活率高达92％。     

夏花生如何高产？

1．种子处理。改变过去自留种或串换种子的习惯，及时进行品种更新。播前晒种2-4天，种子处理前1-2天脱壳。然后，将选好的种子放入30℃温水中浸泡4小时。浸种完成后，每公斤种子用钼酸铵1．2克，加90％敌百虫粉4克湿拌，随拌随播。     

荷电粒子对分形结构的影响

在有限扩散凝聚(DLA)模型基础上,讨论了部分粒子荷电对分形结构的影响。在一定荷电几率范围内(荷电几率P≤30%),分形结构的维数随着粒子荷电几率的增加而增大,且分形结构的形状亦同时发生变化。给出了粒子荷电使分维增大的初步解释。     

天道崇美 因人而彰

~~天道崇美 因人而彰$中国科学院!院士@吴全德     

光电子的初能量分布与角度分布

利用了Nottingham关于透射系数的經驗公式,本文将Du Bridge不考虑反射效应的光电子初能量分布的理論加以推广。由于詳細地考虑了表面位垒对發射出来的电子所起的折射作用,因此本文不光是討論了光电子的初能量分布与法綫能量分布,而且也討論了角度分布。这些討論都假定發射面是理想的金屬表面,沒有碎鱗效应;金属内部的电子滿足費密—狄拉克統計分布;并假定入射光为固定强度的非偏振的单色光。     

用AES测量样品表面吸附层的厚度及剥离速率

我们用Ar离子束剥离样品过程中AES峰强度的变化研究了样品表面吸附层的成分和厚度。由谱峰强度公式导出了吸附层的厚度和离子束对其剥离速率的表达式。并用这些公式计算了Al_2O_3-Al和Sn-Si样品的吸附C层,Al_2O_3层,SnO_2层和蒸积在多晶Si基底上的Sn层厚度,以及Ar离子束对这些薄层的剥离速率。发现当吸附层较厚时,具有较大的剥离速率;而当只有1～2个原子层时,同样条件下的剥离速率变得很小。     

对一种新型全有机复合薄膜的超高密度信息存储研究

用真空热壁法生长了一种新型全有机复合薄膜TTF/m-NBP(tetrathiofulvalene/m-nitrobenzylidene propanedinitrile)。用透射电子显微镜和傅立叶变换红外光谱对薄膜的表征结果证明,该制备方法能够生长出较大面积的化学结构完善的单晶薄膜。用原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)都观察到了TTF/m-NBP薄膜表面的原子级分辨像。通过STM针尖施加脉冲电压在TTF/m-NBP薄膜上实现了纳米级的信息存储,最小记录点直径约为1.2nm。扫描隧道谱分析表明TTF/m-NBP薄膜具有很好的电开关“记忆”特性。初步研究认为其电开关机制可能主要是脉冲电压诱发的TTF电子给体与m-NBP电子受体分子间的电荷转移的变化所致。     

热发射电子的初能量分布与角度分布

在文献中关于热发射电子的能量分布的公式出现有两种个同的形式,例如 Recknagel、以及作者均采用p(E)=AEe~(-(E)/(kT))dE (1)但 Nottingham 及 Hutson 等则采用p(E)=A′E~(1/2)e~(-E/(kT))dE (2)其中 A,A′为常数;E 为电子的初能量;T 为热阴极的