多集电极横向晶体管电流增益的三维数值分析

本文叙述了用有限差法对多集电极横向晶体管电流增益进行三维数值分析。结果表明,如不采用N~ 埋层,但选用适当薄的外延层,使纵向注入衬底的电流增加和使基区复合电流减小,可以实现提高多集电极横向晶体管电流增益的目的。     

改进型萧脱基晶体管逻辑及其特性

本文提出一种改进型萧脱基晶体管逻辑电路的结构,称为MSTL。它具有标准STL高速度的优点,又具有ISL只需要一种萧脱基二极管的简化工艺优点,而且集成度稍高于STL和ISL。它的逻辑摆幅由萧脱基二极管正向压降决定,采用铝硅萧脱基二极管,电路的逻辑摆幅为400mv。实验中,选用氧化隔离技术,多晶硅发射极晶体管和铝硅萧脱基二极管做在N/N~ /P~ 外延片上构成MSTL。结果表明,用4μm的设计规范,在50μA的工作电流下,获得3.5ns的传输延迟时间。     

新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

集成电路版图CAD系统的数据结构方法

本文在引进美国Gould公司Coneept32/2750小型计算机CAD系统开发交互式集成电路版图CAD软件中,介绍一种建立版图数据结构及其管理方法。对图形实行数字化,文件化,提高了图形编辑效率。为设计LSI版图CAD系统软件提供了一个有效的图形文件化手段。