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近年来,石墨插层化合物奇特的物理化学性能及潜在的应用价值引起了人们的注意.许多作者对插层化合物的键合作了研究.我们用x射线衍射仪测定了不同级数石墨插层化合物面间距变化以研究插层化合物的键合情况.  相似文献   
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本文报道了用真空蒸发法在砷化镓上淀积一氧化硅.在蒸发过程中保持砷化镓表面温度低于150℃.可获得低损伤的砷化镓-一氧化硅界面.  相似文献   
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