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1.
引言 阵列天线正在两个并行但互有联系的方面发展着,这两方面是电扫(相控)阵列天线和自适应(归零)阵列天线。本文评述了最近几年这两方面的重要进展并略为论述一些发展的前景。象这样的一篇评述不可能详尽和深入,但因所引用的参考文献是在可采用的文献中最有价值的,如作详细研究,这  相似文献   
2.
基于电厂失活催化剂,采用物相分析、化学组分测试、比表面积测量表征手段确定导致V2O5/TiO2失活的原因为As2O3、碱金属中毒,而失活催化剂晶型结构没有发生改变且具有高的比表面积.采用0.01mol/L 的H2C2O4溶液和0.015mol/L的NH3·H2O溶液对催化剂进行洗涤再生处理可将催化剂表面SO3,As2O3,K2O和Na2O质量分数分别降至0.09%,0.05%,0.02%和0.01%,重新负载1.5%质量分数V2O5后催化剂活性得以恢复.负载3%质量分数CuO后催化剂表现出好的低温催化活性,220℃, 250℃, 280℃ 和 310℃下V2O5-CuO/TiO2的NOx转化率分别为62.4%, 82.2%, 90.8%和95.5%.  相似文献   
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