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741.
介绍了一种基于微机电系统(MEMS)技术的新型双稳态电磁微继电器的设计及其制作工艺,并对其主要性能进行了测试.利用换向脉冲电流驱动高效的“三明治”式电磁驱动结构,带动电接触刷的运动来控制外电路的通断;辅助设计的永磁稳定结构使器件在脉冲间歇能够保持稳定状态而无需额外功耗.测试结果表明,这种新型电磁微继电器具有体积小,功耗低,响应速度快,接触电阻小等优点. 相似文献
742.
一种角速率激光陀螺惯导系统高精度姿态算法 总被引:6,自引:0,他引:6
在分析圆锥误差补偿通式的基础上,提出了利用角速率求取角增量的拟合算法,并给出了该算法的数学证明.详细推导了基于纯角速率输入的圆锥误差补偿算法的补偿系数和误差主项通式,并从理论上对精度进行了分析.结合激光陀螺频谱特性的仿真对比结果表明,纯角速率输入圆锥误差补偿算法优于常规的四阶龙格库塔算法,能够提高纯角速率输出的捷联惯性导航系统的姿态精度. 相似文献
743.
基于任意拉格朗日-欧拉法的盾构刀盘土体切削仿真 总被引:3,自引:0,他引:3
针对盾构刀盘切削土体的问题,提出了基于有限元和高性能计算方法的大规模数值模拟方法.建立了盾构和土体的三维分析模型,并且充分考虑到土体的材料非线性,利用动态显示算法进行了基于国产“曙光4000A”高性能计算机的大规模流固耦合分析.仿真采用任意拉格朗日-欧拉法(ALE),解决了土体大变形造成的有限元单元畸变问题,预测土体-刀具相互作用的过程;将修正的Drucker-Prager塑性土体模型作为土体的非线性有限元模型,其仿真方法和结果可以为未来盾构机的刀盘设计提供参考. 相似文献
744.
红霉素抗性基因ermE编码一种甲基化酶,可以对50S核糖体亚基上的23SrRNA进行甲基化修饰.甲基化作用可能引起核糖体构型变化,阻碍红霉素与50S核糖体亚基的结合,从而使宿主获得抗性.研究中将来自红色糖多孢菌(Saccharopolyspora erythraea)的ermE基因克隆到链霉菌高拷贝表达栽体pUWL201和plJ6021上组成型启动子ermEp*和硫链丝菌素诱导型启动子PfipA的下游,构建出了链霉菌表达质粒pKIM4,pKIM7和pKIM8.将pKIM4,pKIM7和pKIM8分别转入S.lividans链霉菌中,每种转化子都能表现出明显的红霉素抗性,并且ermE基因在TK64/pKIM8转化子中还实现了高效表达. 相似文献
745.
应用循环伏安法研究了细胞色素c在2-氨基乙硫醇自组装膜修饰金电极上的电化学行为。结果表明,细胞色素c在2-氨基乙硫醇修饰的金电极上的电子传递过程为—扩散控制的可逆反应,2-氨基乙硫醇自组装膜可用作细胞色素c电子传递的有效促进剂。依据电化学石英晶体微天平和电化学交流阻抗谱的测量结果,讨论了单分子膜的组装过程及其对促进细胞色素c电子传递的作用机制。 相似文献
746.
建立了N'-(4,6-二甲氧嘧啶-2-基)-N-β-吡啶甲酰基硫脲的高效液相色谱分析方法.采用ODS色谱柱,以乙腈∶水=90∶10(v∶v)为流动相,流速1 mL/min进行分离,以紫外检测器在波长224 nm下进行测定.该方法回收率在98.76%~100.18%之间,线性相关系数为0.9996,标准偏差为0.119,变异系数为0.123%. 相似文献
747.
李绍群 《上饶师范学院学报》2006,26(4):90-93
人类语言“名 (标记) 名”和谐语序与语言类型的对应关系是SOV型———修饰语 中心语、SVO型———中心语 修饰语。文章从语言类型学角度探讨“名1 (标记) 名2”定中结构(主要是领属类)与其它语系的语言在语序上的共性与个性,并对名1与名2的位置作出功能上的解释。 相似文献
748.
提出在PASCAL抽象实现结构图上,采用数据流方程算法实现程序切片的自动化.该方法将过程蓝图的抽象实现结构图引入静态过程内切片领域,实现了程序表示形式与程序切片处理形式的统一,避免了传统方法产生控制流图的需要,简化了切片处理过程,提高了切片处理效率,并直观地反映了切片后的程序变化. 相似文献
749.
用改进的方法合成和确证了2-苯基-2,3-二氢-1,5-苯并噻庚因-4(5H)-酮(PDBT)和2-(2-呋喃基)-2,3-二氢-1,5-苯并噻庚因-4(5H)-酮(FDBT)两个化合物,其纯度分别为99.5%和99.6%.并得到了其X-射线粉末衍射图谱,最强线用Hanawalt法表示.另对这两个化合物的TG和DSC曲线进行测试,并对其特征值进行指征.结果发现,两化合物在熔化时就发生了分解,其熔点测定具有程序性,就此引起不同文献报道的熔点值存在明显差异.根据GB/T617-1988对其熔点测定,给出了两化合物的熔点值:PDBT T始175.86°C,T终177.09°C;FDBT T始158.54°C,T终159.31°C. 相似文献
750.
应用改进分析型嵌入原子法(Modified Analytical Embedded-Atom Method,MAEAM),计算了密排六方(Hexagonal Closed-Packed,HCP)金属(c/a<1.633)单空位形成能以及双空位与三空位的形成能与结合能.空位形成能的最小值或结合能的最大值均表明,双空位稳定结构是第一近邻[1n]、第二近邻[2n]或第三近邻[3n];三空位稳定结构是三空位组成两个第一近邻和一个第二近邻[112]、一个第一近邻和一个第二近邻以及一个第三近邻[123]或三个第二近邻[222].这说明在密排六方金属(c/a<1.633)中存在空位聚集趋势. 相似文献