首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   51篇
  免费   1篇
丛书文集   2篇
综合类   50篇
  2021年   1篇
  2016年   2篇
  2014年   4篇
  2012年   4篇
  2011年   2篇
  2010年   4篇
  2009年   3篇
  2007年   3篇
  2006年   6篇
  2005年   1篇
  2004年   7篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1990年   2篇
排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
两宋时形成的以刻画精微、形神兼备为尚的鲜明画风,把中国美术史上的写实性绘画推向极致,耸立起以写实为追求的时代丰碑。它的形成是前代写实性理论和艺术实践的厚积,同时也与特定历史境遇中时人对万物之理的孜孜追求无不关联。这种写实性画风形成与嬗变的过程,也正是画者打通物我之分,对自然规律和外物精神的感悟和表述。  相似文献   
32.
学术学习主要由三个重复阶段构成:首先,你必须从大量的材料中筛选出合适的内容,并抄写下来。然后,用通俗易懂的语言阐释其意义,最后,通过思考和推敲文章,对文章的语言产生共鸣。  相似文献   
33.
由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2~3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%~30%的刷新功耗.  相似文献   
34.
半选择单元的干扰问题是SRAM工作电压无法随工艺微缩持续降低的主要原因,同时,作为常用写稳定性帮助策略和提高读写速度的策略,PWB中字线增强时间点对半选择单元干扰问题的影响非常值得关注.本文深入分析了半选择单元干扰问题的电路机理和PWB稳定性策略,提出了一种基于交叉耦合PMOS管的HFPWB创新方案,在避免了半选择单元干扰问题的同时,给出了字线增强的具体时间点.仿真结果表明本文提出的电路结构可以同时提高全选单元和半选择单元的稳定性,并可以提高读速度达17.1%.  相似文献   
35.
研究了场存取方式的Bloch线存取功能芯片结构,设计了配套的读写操作专用时序脉冲电路,着重分析了电路元器件参数对长下降沿梯形波变换的影响以及时序脉冲幅度、上升沿、下降沿等对读写操作区的影响,为场存取功能芯片设计提供了重要依据.  相似文献   
36.
数学教学中,选择适当的时机,针对不同的对象采用不同方法,适当地对学生作业写点评语,可以沟通师生之间的感情,及时反馈教学信息,激发学生的学习兴趣,从而提高教学质量。  相似文献   
37.
参考文献是对期刊论文引文进行统计和分析的重要信息资源之一.参考文献的著录更是对他人研究成果的尊重.文章针对有的作者不重视参考文献的著录,编辑也不重视著录参考文献的核查,文章以事例说明著录和核查参考文献的重要性。  相似文献   
38.
39.
PowerBuilder是开发数据库应用程序时的首选工具,但有时应用程序会涉及到通过串口通信进行数据采集的情况,而PowerBulilder由于本身功能所限,无法直接进行串口通信。为实现串行通信必须采用间接的方法,比较研究了直接端口读写、文件操作、OLE控件和API调用4种间接实现串口通信的方法,介绍了各自的特点和适用情况。  相似文献   
40.
分析问题产生的原因,介绍程序设计的思想以及程序设计中的一些关键问题。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号