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61.
王广安 《长春师范学院学报》2007,26(3):29-31
从理论出发提出了一种新的高密度有机光存储方法.设想将偏振敏感的吸收波段不同的有机材料掺杂在同一基质中制成光存储薄膜.该薄膜可将多波长存储和偏振多重存储结合起来,可在薄膜的同一位置进行多次信息记录,从而可以大大提高存储密度. 相似文献
62.
抽油机电液伺服模拟系统伺服阀前压力脉动的主要原因是油泵输出压力的脉动和伺服阀输出流量的变化.伺服阀前压力脉动和伺服阀输出流量的变化.伺服阀前压力脉动会影响抽油机悬点运动规律的模拟精度且冲次愈高影响愈严重.抑制和减弱伺服阀前压力脉动的途径是合理选用液压滤波器件,对有蓄能器滤波和无蓄能器滤波两种工作过程中的伺服阀前村力脉动进行了数字仿真,仿真结果与理论分析基本相符 相似文献
63.
以河南油田为例,从地面和井下两方面分析了影响抽油机井系统效率的因素,提出了提高系统效率的技术措施。 相似文献
64.
应用有限元方法对电机换向抽油机支架进行优化设计与分析,以支架质量最小为优化目标,建立了支架优化的有限元分析模型,并对其进行数学描述.优化分析计算结果表明:优化后的支架在满足结构安全的条件下最大限度地发挥了结构各构件的承载能力. 相似文献
65.
何国兴 《东华大学学报(自然科学版)》1998,(2)
运用颜色理论,以Canz的研究结果为基础,提出了均匀白度公式。研究结果表明它在视觉相关性、均匀性及适用性等方面明显优于CIE推荐的白度公式。 相似文献
66.
1 单模光纤的偏振特性单模光纤中传输的基模 HE_(11),在光纤截面内,可看作是由电场振动互相垂直的两个本征线偏振模合成的,即 HE_(11)由 HE_(11x)和 HE_(11y)合成。在理想光纤中,HE_(11)模是在各向同性介质中传播,其传播常数β_x=β_i,即 HE_(11x)和 HE_(11y)模简并。因此,在理想光纤中传输的光,其偏振态不会发生变化、在非理想光纤中,或由于外界对光纤的扰动,会引起各向异 相似文献
67.
针对现有方法进行相似异物检测时成本高、效果差等问题,提出一种基于优选波长反射光谱成像技术的相似异物检测新方法.该方法利用建立的波长优选函数,分析了近紫外一可见一近红外离散波段中异物与背景灰度差随波长变化规律,筛选了区分多个异物与背景的最佳光照波长,以此构建反射光谱成像检测系统.根据最佳波长反射成像系统来获取相似异物特征,同时,根据二值化自适应阈值来对异物提取图像进行处理.以棉花中的白色丝状异物为对象对该方法进行实验,结果表明,在反射光照系数为0.74时,该方法对相似异物的检测率达到94%. 相似文献
68.
针对金川镍矿尾砂-棒磨砂膏体在充填管道输送中存在的堵管问题,开展了泵送减水剂对膏体的和易性与充填体强度影响试验研究.首先分析了膏体物料的物化特性和颗粒级配;然后采用金川镍矿尾砂-棒磨砂膏体充填系统工业生产中的技术参数,开展了添加不同泵送减水剂添加量的充填体强度、膏体和易性以及流变特性参数测试研究.研究结果显示,当添加1%~2%的泵送减水剂,3、7和28 d强度均有显著提高.膏体的和易性随泵送减水剂添加量的增加而提高,且浓度越高,效果越显著.当膏体浓度(质量浓度)在78%~80%的范围,膏体初始剪切应力和粘滞系数均随着泵送减水剂的增加而线性减小.结合泵送减水剂对充填体强度、膏体和易性以及流变特性影响分析,并考虑膏体充填成本与采矿经济效益,确定1%的泵送减水剂为比较合理的添加量.研究结果为金川镍矿膏体充填系统料浆制备提供重要依据,已经应用于金川矿山膏体充填的工业化生产. 相似文献
69.
为深入研究模袋砂围堰对沉管隧道干坞抽水力学响应规律,以广州洲头咀沉管隧道模袋砂围堰工程为背景,建立干坞抽水全过程精细数值模型。计算验证了钢板桩+袋装黏土组合芯墙止水性能。分析了干坞抽水引起的模袋砂围堰变形规律。并揭示了围堰土工模袋张力分布规律,此外提出模袋张力简化计算方法。研究表明:模袋砂围堰钢板桩+袋装黏土组合防渗芯墙止水效果良好,能有效控制临江侧水流渗入干坞侧;干坞侧抽水对模袋砂围堰变形产生了显著的影响,变形与坞内下降水位近似呈同向线性关系;坞内水位降低使围堰重度由浮重度变为干重度,引起模袋砂压实而出现较大竖向位移;围堰竖向压缩和水头差引起的渗流作用又促使围堰的水平位移;模袋砂围堰中土工模袋受到的张力随着坞内抽水水位的降低近似线性增大。模袋张力简化法计算值与数值计算结果对比表明,模袋张力采用的简化计算方法具备合理性。 相似文献
70.
在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加,均会引起结温的增加,但是峰值波长的变化却有区别.在环境温度不变,驱动电流增加过程中,出现LED峰值波长的蓝移现象;在驱动电流不变、环境温度变化过程中,出现LED峰值波长的红移.用能带及极化场耦合模理论,分析实验结果,得到In0.25 GaN0.75阱层的极化场强为3.304MV/cm,垒层的极化场强为-0.826MV/cm;首次引入能隙变量随结温变化率的概念,在LED额定驱动电流范围内,热效应、载流子对极化效应引起的内建电场的屏蔽作用所引的能隙变量随结温变化率分别为3.637×10-4ev/k及1.3025×10-3ev/k,研究认为,二种效应引起的能隙变量随结温的变化率决定着峰值波长偏移的方向. 相似文献