偶极玻色-爱因斯坦凝聚体的稳定性分析

利用变分法,在给出三维简谐势阱的频率方位比后,考察处于该势阱中的偶极BEC凝聚体,我们发现偶极玻色-爱因斯坦凝聚体的稳定性由势阱的频率方位比、s-波散射长度、偶极相互作用强度和粒子数目等因素共同决定,当合适的参量给定后,NLSE总有亮孤子解存在,并可得到稳态与非稳态间的临界线.     

双光子光折变光伏明孤子的演化和自偏转

通过数值模拟的方法,研究了双光子光折变光伏明孤子的动态演化和自偏转特性．结果表明：在忽略扩散和损耗的情况下,光伏明孤子能在双光子光折变晶体中稳定传播．考虑扩散效应之后,明孤子光束中心将发生自偏转．自偏转程度首先随入射光强的增加而增加,当光强达到一定程度后随着入射光强的增加偏转程度反而减小．     

中心对称光折变介质中双光子非相干耦合屏蔽孤子对

对外加电场的中心对称双光子光折变介质中两束偏振方向和波长都相同的互不相干光束的耦合进行了研究, 预言了非相干耦合暗-暗、亮-亮及亮-暗中心对称双光子屏蔽空间孤子对的存在.     

氢键链中离子缺陷和键缺陷的孤子统计理论

以双参数双周期势的二分量孤子模型为基础，利用理想气候唯象近似的方法，研究了氢键链中离子缺陷和键缺陷的统计问题，得到了离子型和取向型孤子偶密度，并计算了两类孤子偶的核化率。     

双稳态孤子与其光学转换

对于有一定非线性的薛定谔方程,存在单孤子解的多稳态,也就是说对于相同能量,单孤子具有不同的传输常数。以一非线性（LSS）模式为例,对孤子的双稳态进行理论分析,并对其双稳态转换进行数值模拟。     

Effects of system parameters on bright dissipative holographic photovoltaic solitons

In a photovoltaic dissipative system, evolution and stability of a bright dissipative holographic photovoltaic （DHP） soliton are completely determined by the given dissipative system, i.e., they are impacted by the system parameters, such as the system temperature, the photovoltaic field of the crystal, the angle between two input beams, and the angle of polarized direction. Such DHP solitons can be easily amplified or absorbed by adjusting these system parameters. They have potential applications in optical switches or repeaters.     

近Ricci孤立子的刚性

通过计算无迹曲率张量模长平方的X-Laplace算子,讨论近Ricci孤立子的刚性.在数量曲率非负的假设下,证明完备近Ricci孤立子在逐点拼挤条件下等距于?n或Sn的有限商.对紧致近Ricci孤立子,在数量曲率为正的假设下,给出一个积分不等式,并证明等号成立当且仅当孤立子等距于Sn的有限商.     

含有双温非热离子的尘埃等离子体中的非线性尘埃声孤波

使用约化摄动法得到了含有双温非热离子的尘埃等离子体中的KdV方程.结果表明,双温满足非热分布的离子会严重影响着尘埃声孤波的结构,而且,该体系中稀疏形孤波与压缩形孤波共存.     

支管带套管的横向射流流动特性的实验研究

针对核反应堆冷却剂系统中注水用带热套管的T型接管热冲击问题，利用数字粒子图像测速（DPIV）技术，测量了支管带套管的横向射流主流管内的流场，以及套管与支管间的环腔内的流场，考察了射流与主流流速比R为0.5-4.0时的速度和涡量分布特性，分析了主流管内的复杂涡系及套管环腔内的流动特性。结果表明，在出射孔附近的套管环腔侧后部存在“环腔泄流”，这有利于减弱射流对下游壁面的影响；射流近区的强演唱涡主要来源于射流及环腔泄剪切层，而它很快就破碎和耗散，发展为尾流远区的反向涡对；套管环腔内的流动与R密切相关，当R较高时套管的热保护作用显著。     

聚苯胺中次近邻电子跳跃对光激发孤子性质的影响

在Baranowski-B櫣tter-Voit(BBV)模型的基础上,考虑了次近邻电子跳跃对PNB(pernigraniline-base)聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响.结果表明:逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小,价带宽度变大,电子的跃迁能逐渐增大;孤子的宽度基本不变;负电孤子的电荷密度分布振荡加强,正电孤子的则减弱.初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0.04.