非晶态合金Pd77.5Ag6.0Si16.5中含氢引起的内耗峰

用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.     

磁场对磁流体红外吸收的影响

测量了３种磁流体在施加外磁场前后的红外反射吸收谱，发现磁流体的红外吸收第数随磁粉浓度的增加而增加；在外磁场作用下吸收系数降低，钡铁氧体和锰锌体磁液随外磁场增强吸收系数单调下降并趋向一渐近值，Ｆｅ－Ｎｉ超微粒磁流体的吸收系数随磁场的变化出现异常。采用链状结构模型和理论可解释上述现象。     

CO-W-P刷镀层的晶化动力学与热模具寿命

研究了 ＣＯ－Ｗ－Ｐ电刷镀层加热时结构的转变。实验测定了镀层的等温和变温晶化综合动力学曲线及各种动力学参数。提出了瞬时晶化温度的概念。详细分析了晶化过程中硬度的变化，发现晶化伴随有一个硬化效果很强烈的沉淀过程。ＣＯ－Ｗ－Ｐ刷镀层能显著增进热模具的使用寿命，主要原因在于模具成形时，同时发生晶化和沉淀析出过程，产生二次硬化效应，提高了模具表层的红硬性以及热磨损抗力。     

ZrO_2系超细陶瓷粉末制备工艺与烧结性的研究

研究了ZrO_2(Y_2O_3)-Al_2O_3粉末制备过程中,煅烧温度对粉末物性和烧结性的影响,以及沉淀工艺过程对溶胶抽滤速度的影响。研究结果表明:1 100℃煅烧所得粉末当量粒径大小适中(为0.28μm),其生坯相对密度最高,达59%以上,在1 600℃烧结获得相对密度达97.5%的烧结体,线收缩率低至15%,便于控制试样尺寸精度。另外,分步沉淀工艺制取的溶胶中水的滤除速度快。     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

α－Fe_2O_3超微粒的~（57）Fe穆斯堡尔谱

利用沉淀法制备α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３超微粒，用Ｘ射线衍射仪和扫描电镜对样品的结构和粒度进行了分析，并在室温下测量了不同粒度样品的穆斯堡尔谱。结果表明，α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３超微粒存在明显的超顺磁现象，在室温至８０Ｋ的温度范围内测量了一个样品（１７ｎｍ）的穆斯堡尔谱，未见莫林（Ｍｏｒｉｎ）转变．随着粒度和测量温度的改变，样品的穆斯堡尔谱的超顺磁成分、同质异能移位、四极分裂、内磁场都发生了变化。对上述穆斯堡尔参数的变化进行了讨论。     

动态力学温度谱分析的新方法及其应用——第3部分:动态力学温度谱分析法在PET非晶区结构研究的应用

本文在第1,2部分文章的基础上,以经拉伸、热处理的PET纤维为对象,将动态力学温度谱分析结果应用于PET的非晶区结构的研究。研究结果认为,可用PETα转变的松弛时间分布来描述PET非晶区分子链段运动能力的大小和分布;纤维非晶区取向因子f_α与松弛时间均值及方差存在很好的线性关系,反映了非晶区取向与平均松弛时间之间的密切联系。     

a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系

目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。