半导体激光逻辑器件研究综述

本文运用速率方程对半导体激光器实现逻辑器件的基本原理进行了分析，并介绍实现半导体激光逻辑器件一些基本方法。     

基于投影面积分析算法的激光方向测量系统

在激光预警系统中,为了实时监测在各个方向的入射激光,同时,保证较高的激光入射方向角分辨率,设计了基于投影面积分析算法的激光方向测量系统。系统光学部分由几何尺寸已定的遮光模块和面阵CCD探测器组成,当激光入射系统时,由于遮光模块的存在,会在面阵CCD探测器上产生阴影,通过计算分析阴影的面积即可反演入射激光的方向。通过仿真计算可知,在要求最小分辨角度为1°时,对应的面积变化远小于CCD探测器的分辨能力。实验采用660 nm激光器、IA-D9-5000型面阵CCD探测器、旋转平台,实验数据显示,入射激光在各种条件下旋转1°在四个象限区域内,所形成的投影面积各不相同,通过投影面积分析算法可以反演入射激光的方向。     

激光器的新成员--量子点激光器

量子点异质结构是窄带隙材料以纳米尺度连贯插入单晶体点阵中．这些微小结构为改进异质结构激光器的基本原理以及拓宽它们的应用提供了独特的平台．与量子阱激光器相比，量子点激光器因具有delta样的电子态密度而具有优异的光激发特性．近年来半导体量子点激光器的进展已经达到了一个新的水平，在某些最重要的应用方面，量子点激光器已经超过了量子阱激光器的一些关键特性．     

端面抽运固体激光器的输入输出特性分析

分析了端面抽运固体激光器的输入输出特性；给出了输出功率随输入功率变化的函数关系曲线；给出了输出功率随泵浦光腰斑位置变化的函数关系曲线；文中的分析可为端面抽运固体激光器的设计提供参考。     

增益开关半导体激光器特性的实验研究

本文用分布反馈半导体激光器和增益开关技术，研究了不同工作条件下超短光脉冲的输出特性。     

光纤耦合的LD泵浦微型固体激光器

本文报导了一种光纤耦合的ＬＤ泵浦微型Ｎｄ：ＹＡＧ固体激光器．该激光器为连续波输出，最大输出功率达３２．５ｍＷ，斜率效率为１３．９％．这种连续波输出的Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，可作为实验室的激光源使用．     

单频外腔半导体激光器的主动稳频

采用鉴频反馈电路控制外腔长，对长外腔单纵模半导体激光器进行主动稳频，获得线宽小于２００ｋＨｚ的稳定单频输出，在２ｈ内频率漂移小于２ＭＨｚ     

相对论电子束泵浦真空紫外离子型准分子及碱金属蒸汽二聚物准分子激光研究

采用独特的相对论电子束泵浦手段成功地首次观测到碱金属卤化物及稀有气体－碱金属体系离子型准分子Ｘｅ＋Ｒｂ，Ｋｒ＋Ｒｂ，Ｋｒ＋Ｌｉ等以及碱金属卤化物离子型准分子Ｃｓ２＋Ｆ－等１１种新型准分子的真空紫外辐射，并在世界上首次实现了至今未能实现的Ｎａ２的紫带，Ｋ２的黄带和Ｒｂ２的红带准分子的受激发射，为电激励金属准分子激光器的开发奠定了基础。     

半导体激光器电光采样测量技术的研究

研制了１．３μｍ半导体激光器电光采样测试装置,并对测试系统的性能进行了分析研究,确定了系统的时间分辨率为１６．７ｐｓ,电压灵敏度为０．２６ｍＶ／Ｈｚ,工作频率可在１～５ＧＨｚ连续改变．通过测量ＨＰ３３００５Ｃ疏状脉冲发生器产生的超短电信号,证明了系统的时间分辨率高于Ｔｅｋ７１０４采样示波器（带Ｓ４采样头）．对高速Ｇｅ探测器脉冲响应特性的测量进一步说明了系统的实用性．     

差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．