辅助锥面法辅助柱面法与辅助环面法

本文依辅助面与相交两曲面的交线的投影为圆弧或直线的原则,提出了三种求相贯线的新的作图方法.     

二水甲酸钇晶体最佳相位匹配角的计算

本文给出了二水甲酸钇晶体折射率的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ公式。计算了该晶体从１．０６４μｍ到０．６７４μｍ的各种基波波长的Ｉ型和Ⅱ型倍频相位匹配角以及相应的有效非线性系数，求出了最佳匹配角，描述了最佳匹配角的相对非线性系数随基波波长的变化规律。还进行了三倍频（１．０６４μｍ＋０．５３２μｍ→０．３５５μｍ）的最佳匹配角的计算。对该晶体进行了１型倍频实验，验证了相位匹配曲线，实验结果与计算结果吻合。     

聚氨酯-聚丙烯腈共混体系的动态力学性质及其力学模型的研究

本文研究了聚氨酯(PU)-聚丙烯腈(PAN)共混体系的动态力学性质和相逆转现象。发现当PAN含量为30—40％的范围内,共混体系发生了连续相与分散相的逆转;进一步通过3个力学模型,描述了该共混体系的模量-组成关系以及动态力学温度谱。所有实验数据都落在理论预测的范围内,并与Budiansky模型符合得最好。     

CuZnAl形状记忆合金时效过程研究

铜基形状记忆合金的时效是影响其应用的关键之一。对ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金 时效过程的研究表明：在 ２９３～３７３Ｋ温度范围内时效，随时效温度的提高．马氏体 相向母相转变的温度变化值减小．时效作用减弱；母相保温可使相变点稳定；造成 ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金时效的一个重要原因是淬火过饱和空位的偏聚。     

PTC转移非解离型中性分子的研究 Ⅰ.催化剂结构与氰化亚铜分子的萃取

研究了相转移催化剂（ＰＴＣ）在液固相体系中，转移萃取非解离型中性分子氰 化亚铜的过租。研究表明各类催化剂对氰化亚铜的萃取主要决定于各自所提供的配 位原子，其萃取转移能力可用平均络合数衡量。     

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。     

CO气相慢氧化动力学研究

用流动法对在裂化催化剂再生的温度、压力及CO,O_2和H_2O浓度条件下CO的气相氧化动力学进行了研究,发现在上述条件范围内的反应可根据温度及水汽浓度为三个动力学区域:低温反应区、水影响反应区及高温反应区。在低温反应区水汽对反应无影响,而在其它两区水汽对反应有较大影响。本文分别给出了这三个区域的动力学方程。     

聚丁二炔的结构相变

利用一个简单的连续模型去研究聚丁二炔的结构相变,对于其中的σ电子和π电子分别处理.在聚丁二炔链上,当出现从PDB相向PDA相转变时,会出现一个畴壁和反畴壁,这个相变的出现主要是由于π电子重新分布的结果.我们把畴壁(反畴壁)当作元激发来处理,详细分析了相变过程,计算了畴壁(反畴壁)的结合能,成功能解释了如下的实验事实:在低温下PDA相比PDB相更稳定,并且会自发地发生从PDB向PDA的相变.     

W(100)表面因氢吸附引起的结构相变

本文根据朗道相变理论,讨论了W(100)表面因氢吸附引起的结构相变,求出了W(100)表面顶层W原子的位移随温度和氢复盖度的变化规律,解释了W原子沿〔110〕和〔010〕两种可能的位移方向,给出了H/W(100)系统在低复盖度下的相图.     

一类双边退缩的抛物型方程的Cauchy-Dirichlet问题——解的唯一性和极值原理

文[1]中讨论了下述Cauchy-Dirichlet问题. (I) (c(u))t=(a(u)u_x)_x+(b(u))_(xt) 在Q_r中 u(0,t)=0,u(1,t)=2 0相似文献