非铁基材料化学镀镍基合金

采用化学镀的方法在钨振子、PVC表面沉积镍基合金。为获得钨振子与镀层同较强的结合力，通过采用不同预处理、热处理方法来完成。实验表明，用以双氧水为主的混合液预处理，Ni-P合金镀层结合力最佳；在保护性气氛中热处理，可大大增强镀层与基体结合力。PVC表面用氯化钯活化可得到导电性良好的镍基合金镀层。     

以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，采用相同方法在LaNiO3/Si(100）上制备了Pb（Zr0.3,Ti0.7）薄膜，对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7）O3薄膜的结晶性，表面形貌和电性能进行了研究。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

激光辐照SnO2超微粒薄膜的AES,热电动势率及阻抗谱

研究ＹＡＧ脉冲激光辐照对ＳｎＯ２超微业薄膜的改性作用，由ＡＥＳ分析表明，在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸量明显减少，并有一定的氧化作用。在３００－６００Ｋ范围内测量激光辐照前后样品的热电动热率（ＴＥＰ），发现激光辐照后ＴＥＰ值明显减小，薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响，表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性     

用W_(18)O_(49)制造超细钨粉及超细碳化钨粉

在适当的温度和气氛下,于回转炉中,实现了仲钨酸铵(APT)转变成W_(18)O_(49)的连续生产。在相同的氢还原和碳化工艺条件下,W_(18)O_(49)比黄色或蓝色氧化钨制得的钨粉、碳化钨粉细和均匀,而且不易长大.以W_(18)O_(49)为原料用传统工艺制取超细钨粉、超细碳化钨粉是合理的、先进的。     

用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱

对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。     

导电高分子和无机氧化物为基灵巧窗口的探索

用电化学合成的方法在氧化铟锡导电玻璃上分别镀上了电致变色的三氧化钨和聚苯胺膜，并将这两种ＩＴＯ玻璃用高分子电解质粘结形成灵巧窗口。当外加电压在－１．４Ｖ－＋１．４Ｖ之间变化时，灵巧窗口在可见光区具有很显的透光率变化。     

钨的极谱波研究及钼精矿中钨的测定

在ｐＨ２．３的磷酸－１．１８×１０（－５）ｍｏｌ／Ｌ桑色素底液中，钨在－１．１４Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）有一灵敏的极谱波，可用于微量钨的测定．线性范围４．３５×１０（－１０）～２．１８×１０（－８）ｍｏｌ／Ｌ，检出限４．１４×１０（－１１）ｍｏｌ／Ｌ．直接应用于钼精矿中钨的测定，方法简便快速，结果准确．     

NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备

在ＮｉＴｉ形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备，第二层膜以醇热法制备，第三层膜应用溶胶－凝胶法制得。Ｘ射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明，薄膜总厚度约为３μｍ；由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为０．１μｍ、０．２μｍ和０．３μｍ。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构，而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到