首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2543篇
  免费   160篇
  国内免费   172篇
系统科学   4篇
丛书文集   87篇
教育与普及   13篇
理论与方法论   4篇
现状及发展   37篇
综合类   2730篇
  2024年   2篇
  2023年   10篇
  2022年   17篇
  2021年   27篇
  2020年   33篇
  2019年   21篇
  2018年   38篇
  2017年   40篇
  2016年   40篇
  2015年   52篇
  2014年   81篇
  2013年   64篇
  2012年   84篇
  2011年   114篇
  2010年   107篇
  2009年   136篇
  2008年   118篇
  2007年   160篇
  2006年   147篇
  2005年   142篇
  2004年   134篇
  2003年   131篇
  2002年   120篇
  2001年   98篇
  2000年   121篇
  1999年   89篇
  1998年   74篇
  1997年   92篇
  1996年   74篇
  1995年   66篇
  1994年   61篇
  1993年   57篇
  1992年   63篇
  1991年   59篇
  1990年   58篇
  1989年   53篇
  1988年   46篇
  1987年   29篇
  1986年   11篇
  1985年   6篇
排序方式: 共有2875条查询结果,搜索用时 15 毫秒
391.
介绍了新研制成的 MEVVA-Ⅱ和 MEVVA-ⅡA 离子源的结构特点和某些实验结果.新源采用大面积引出,引出直径60mm.该源脉冲工作,最大束流占空比为6%,已引出 Mg,Al,Ti,V,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Y,Zr,Mo,Nb,Sn,W 和 Pb 等金属元素的离子,平均束流强度在10mA 以上,最大平均束流强度已超过20mA.MEVVA-ⅡA 源还采用了可推进的阴极结构,使阴极寿命大大提高,在引出平均束流10mA(Ti)条件下,已连续稳定运行16h.  相似文献   
392.
用电化学方法研究了水化学因素对套管钢在模拟油田水中腐蚀的影响,包括亚硫酸钠除氧效果、溶解氧浓度、氯离子浓度、介质温度对腐蚀的影响,得出了将腐蚀速率控制在石油部行业标准SY5329—88中规定的腐蚀速率的临界溶氧浓度、氯离子浓度和温度值。  相似文献   
393.
394.
固体中离子传输和原子碰撞级联的计算机模拟程序TCIS已发展起具有模拟离子 束作用下固体靶中成分动态演变的功能。本文详细介绍动态 TCIS模拟程序的物理模 型及计算方法,给出算例及有关问题的讨论。动态 TCIS可以研究离子束轰击三元靶 的复杂问题:如大剂量离子注入、择优溅射和界面混合等。  相似文献   
395.
396.
网络环境下信息资源的开发和利用   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述了网络环境下信息资源开发的迫切性,并从多个方面探讨了在网络环境下如何进行信息资源的开发和利用。  相似文献   
397.
本文研究了一种高灵敏度高选择性连续测定ppb级Au、Ag、Cu、Fe、Bi的新分析方法,在pH0.5—1.5范围内金属离子与KSCN及RB形成三元离子缔合物,用甲苯进行萃取浮选,用DMF溶解并用火焰原子吸收法测定.本文详细研究了其浮选条件、浮选行为及分析特性.富集倍数高达200倍.已用于环境监测和化探样品的测定.  相似文献   
398.
399.
采用可见分光光度法测定土壤中亚硝酸根离子的含量。在浸取土壤后的滤液中加入氢氧化铝共沉淀剂,移取定量的二次滤液在酸性条件下与对氨基苯磺酸,α-萘胺显色,其吸光度与亚硝酸根离子的含量成线性关系。采用样品实测值与样品加标因收进行结果对照。回收率达到99.69%-96.86%,在定量测定的允许范围内,故该法具有可行性。  相似文献   
400.
本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号