CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB_6O_(10)晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大。     

高Q-腔中量子化平移运动与原子内态布居的关系

讨论了在驻波腔场中两能级原子的量子化平移运动与原子内态布居间的相互影响。结果表明原子量子化平移运动敏感地依赖于原子的内态布居。     

论田径课发散思维的训练

根据发散思维与收敛思维的辩证关系 ,论述了田径课培养学生发散思维的 3种方法 ,有利于表现个性 ;全方位地培养学生与老师之间的有效交往能力 ;激发学生潜力 ,发展学生的兴趣 ;在安排时间、搜集资料、自我评价等方面培养了学生独立的学习能力 .     

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.     

基于FPGA实现的计算机与HDTV显示器测试信号发生器

为产生满足 14种计算机并兼容 4种高清晰度电视 (HDTV)视频标准的 13种测试图案信号,研究开发了计算机与高清晰度电视显示器测试信号发生器.采用现场可编程门阵列(FPGA)完成测试图案数据存储、各种视频标准时序产生及系统控制信号产生等核心功能.利用FPGA的现场可编程功能,采用多个EPROM存储FPGA配置.采用频率发生器技术为多种视频标准提供时钟信号.实践表明,以上方法可行,且成本降低,尺寸从 15cm×21. 5cm减小到11cm×14cm.     

溶胶凝胶法制备三维规则排列大孔TiO2材料

以聚苯乙烯微球 (LatexSphere)离心后形成的三维规则排列的胶晶 (colloidcrystal)作模板 ,用钛酸丁酯、水、乙醇等配制的溶胶填充微球之间的间隙 ,然后原位形成凝胶 ,最后通过焙烧除去微球得到三维规则排列大孔TiO2 材料 (3DOM)。溶胶的浓度一般控制在 0 5～ 1 0md/L之间。焙烧过程的升温速度应控制在 5℃ /min以下。得到的样品表面可观察到五颜六色的彩光。从SEM照片可观察到 ,球形孔大小均匀 ,排列整齐 ,孔壁填充完全。孔径在 5 30nm左右 ,孔的排列呈面心立方结构 ,孔与孔之间由小孔窗相互交连。XRD表明孔壁含有锐钛矿和金红石两种晶型 ,2种晶型质量分数大约各占 5 0 %。     

(E)-3-(3,4-二甲氧基苯基)-2-氰基丙烯酸乙酯的合成和晶体结构

标题化合物C14 H15O4N(3)是由 3,4 二甲氧基苯甲醛 (1) 与氰乙酸乙酯 (2 ) 在KF/蒙脱土催化下以N ,N 二甲基甲酰胺 (DMF)作溶剂反应而得 .结构通过单晶X射线衍射分析确定 ,其晶体属于单斜晶系 ,空间群P2 1/n ,a =1.310 1(3) ,b =0 .80 32 (2 ) ,c =1.385 4 (2 )nm ,β =114 .2 1(1)° ,Mr=2 6 1.2 7,V =1.32 96 (5 )nm3 ,Dc=1.30 5 g/cm3 ,Z =4 ,μ(MoKα) =0 .0 96mm-1,F(0 0 0 ) =5 5 2 .晶体结构用直接法解出 ,使用全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正 ,最后的偏离因子R =0 .0 398,RW =0 .0 816 .单晶X衍射分析表明标题化合物为 (E)式异构体产物 ,说明该反应具有立体选择性 .     

沉积盆地侵入岩区的异常“温度场、压力场和地球化学场”与油气的关系——以东营凹陷纯西辉长岩为例

通过岩石学、有机地球化学等分析 ,发现纯西辉长岩周围烃源岩具有有机质含量极低、高熟和裂缝发育以及油气比较丰富等特征 .研究表明 ,其根源是辉长岩形成的特殊温度场、压力场和地球化学场 ;辉长岩形成的异常高温大大促进了烃源岩热演化 ,并提高了生烃量 ;高压产生的大量裂缝为烃源岩排烃和油气聚集提供了通道和储集空间 ;而辉长岩带来的深源氢对烃源岩起到加氢作用 ,扩大了生烃量     

QSTEM技术中晶面指数的模糊逼近

本文阐述了 QSTEM 技术中获得的晶面夹角值与晶面指数之间的位相关系,提出了测量值与理论值的隶属度,建立了测量值与晶面指数之间的模糊关系——矩阵 A,通过两个例子,说明了模糊逼近的具体方法以及参数 T、m 和算子 H 等的具体意义。     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。