带串联补偿的输电线路纵联阻抗性能分析

在系统分析基于串联补偿电容器下输电线路纵联阻抗性能特点和阻值特征的基础上,特别在详细分析串联补偿电容器及其附属的金属氧化物变阻器(MOV)、放电间隙等不同的运行方式在纵联阻抗产生影响的前提下,确立了纵联保护的甄别方法.由于在串联补偿下输电线路分布电容和系统运行方式共同影响纵联阻抗的阻值,因此通过分析和计算才能确定是否需要补偿.一旦纵联阻抗幅值小于设定数值时,就可确定发生区内故障,保护将正确动作;否则,就断定在保护区内没有发生故障,保护将稳定不动.在EMTP软件的仿真中,建立了一条1 000 kV、500 km含工频串联补偿度为45%串联补偿电容器的特高压输电线路模型,进行了在各种故障下的仿真模拟,仿真结果验证了上述纵联阻抗及其算法在串联补偿环境下具有足够的稳定性和可靠性.     

基于微分进化算法的销齿传动多目标优化设计

为缩短销齿传动的设计周期,降低产品成本,依据弹性流体动力润滑理论和齿轮啮合原理建立销齿传动的冷胶合强度条件。以齿间最小油膜厚度最大(倒数最小)和销齿传动中心距最小作为设计的追求目标,摈弃传统的多目标优化设计方法,利用修正的微分进化多目标优化算法对范例进行分析计算。优化过程及结果表明,修正的微分进化多目标优化算法能够有效地提高产品的综合经济技术指标。     

二维光学多道分析仪对轴对称放电等离子体空间分辨光谱测量

本文介绍了用二维光学多道分析仪（OMA—3, Vidicon System）对轴对称放电等离子体进行空间分辨光谱测量的方法,报道了我们用此方法测量微波感偶低气压等离子体光谱辐射强度,激发温度和亚稳态粒子浓度,以及He-Ne激光器中粒子数布居和粒子数反转空间分布的一些实验结果,讨论了该测量方法的优点及测量中应注意的事项.     

太阳光和天空光的光谱测量分析

采用一种便携式小型光谱仪对天津市区太阳光和天空光在200～850nm波段进行光谱测量．分析了一天中不同时刻的太阳光谱的变化，比较了太阳光谱与相应天空光谱间的关系，同时还给出了不同天气情况下的天空光谱测量结果及相关理论分析，并对太阳光和天空光的颜色进行了色度计算．     

多层网TCP-RED非线性流体模型的高效网络拥塞控制

提出了一种多层网络拥塞控制方法,该方法基于流体模型的微分方程设计多层网络拥塞控制.此外,该方法利用流体模型的稳定性保证网络性能参数的均值在多层网络环境及大数据流的情况下向平衡点收敛,同时也有效限制了AOM参数的设置.理论分析和仿真结果证明了这种网络拥塞控制方法能在多层网络中避免拥塞,并当网络出现大数据流时,该多层AQM系统能充分利用网络带宽及保持路由器队列长度的相对稳定.     

SDH传输网络评估优化在工程建设中的应用

简述了传输网络评估与优化的目的,重点介绍了SDH本地传输网络评估优化的基本方法、指标设置及实施步骤,并通过实例进行了说明。     

单圈图的测地谱

单圈图是顶点数等于边数的连通图,本文研究了单圈图的测地谱并指出除了圈以外的单圈图的谱都是连续的。     

基于动变形控制法的软岩路基填筑材料回弹模量控制

根据路基路面变形协调原理,结合国内公路相关规范对路面弯沉的控制标准,获得软岩路基顶面动变形允许值;利用传递-反射矩阵方法和叠加原理推导了双轮胎振动荷载作用下弹性层状公路结构的动力响应解;采用Hankel数值逆变换技术计算出实例工程中典型软岩公路路基顶面的动变形,基于动变形控制法确定了不同软岩填筑区域对应填料的回弹模量临界值;根据现有公路规范规定的路基结构层厚度,提出满足动变形条件下的软岩填筑区域所需回弹模量控制要求,并以回弹模量为依据对软岩填料进行了分类.研究成果可为软岩填料分区优化填筑提供指导.     

气电混合动力车辆低SOC混合驱动起步控制研究

基于单轴并联混合动力系统的结构特性,提出一种电机-发动机-离合器协调控制起步方法,在最小化电量消耗的同时,实现比离合器滑磨起步更快的起步速度和更佳的平顺性。 通过增量式PID方法控制电机输出小扭矩,调节电机转速,弥补离合器接合过程的非线性缺点。 并对采用了助力方法及仅依靠离合器起步的车辆进行起步试验,从起步速度、冲击度和电量消耗方面验证了该方法的可行性。      

基于FIB和TEM的纳米材料中界面分层破坏的实验方法研究与应用

本文针对三维尺寸均处于纳米量级的材料与结构中常见的界面分层破坏问题,利用聚焦离子束技术(FIB)和透射电子显微镜(TEM)开发设计了一套研究纳米材料中界面端部裂纹启裂行为的实验方法.采用FIB成功从宏观多层薄膜材料(硅/铜/氮化硅,Si/Cu/SiN)中切割制备出了由硅基体(Si)和200 nm厚铜薄膜(Cu)及1000 nm厚氮化硅层(SiN)构成的纳米悬臂梁试样.利用高精度微小材料加载装置,在TEM中对该试样进行加载实验,并原位观测了不同试样中Cu/Si界面端部裂纹启裂的行为.通过对启裂瞬时Cu/Si界面上临界应力分布的有限元分析发现,不同尺寸试样中的界面上法向应力与剪切应力均集中在距界面端部100 nm的范围内,且临界法向应力远大于剪切应力.对应力分布的进一步分析则发现,距界面端部5 nm区域内的法向应力场控制着Cu/Si界面的分层破坏过程,可用于表征界面分层破坏的局部控制准则.