初级反馈AC/DC转换器的高低压OCP补偿电路设计

初级反馈结构形式的AC/DC转换器近几年来引起了国内外学者与应用工程师的研究和关注。对初级反馈结构的AC/DC转换器进行高低压过流保护(OCP)补偿,是提高此种结构AC/DC转换器性能,扩大其使用范围的关键性技术。论文介绍了一种在系统板级补偿初级反馈AC/DC转换器高低压OCP的方法后,提出一种利用驱动管导通时间的不同来补偿高低压OCP的方法。论文论证了利用驱动管导通时间不同实现高低压OCP补偿的原理,并采用此方法设计了一款初级反馈AC/DC转化器且投入实用。通过对设计的无高低压OCP补偿和有高低压OCP补偿两种AC/DC转换器进行对比测试,结果表明论文提出的补偿方法可以将AC/DC转换器的高低压OCP差值缩小33～47mA,提高了转换器的性能,对初级反馈AC/DC转化器的设计具有一定的参考意义。     

大面积薄栅MOSFET的V_T与D_(OX)的关系研究

本文研究了大面积薄栅M OSFET的阈值电压与栅氧化层厚度的关系。实验结果表明,在薄栅情形(d_(ox)=135～312 )中,阈值电压随着栅氧化层厚度的减少而下降;阈值电压的一维模型仍然适用于大面积薄栅MOSFET。     

低能量Ar~+背面轰击对晶体管电流放大系数和特征频率的影响

在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

Synthesis and Field-effect Transistor Behavior of New Oligo-selenophene Derivatives

1 Results In recent years,interests in organic semiconductor have increased due to the applications in optoelectronic devices such as organic light-emitting diodes (OLEDs)[1],field-effect transistors (FETs)[2],and photovoltaic devices[3]. These organic electronics have several advantages over conventional inorganic electronics including facile processability,chemical tunability,compatibility with plastic substrates,and low cost to fabricate. Selenophene-based molecules show good π-conjugating electron o...     

GTR饱和区特性及其安全保护

分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明,存在一个饱和压降阈值,超过这个阈值后,过流将产生．据此设计了一种快速有效的过流保护电路．     

小尺寸微波晶体管放大器的设计

通常用微带电路进行微波晶体管电路设计时,在微波的低频段,微带电路的尺寸比较大,给使用带来不便,为了缩小几何尺寸,本文着重讨论利用短微带线加以电抗支节调谐,作微波晶体管放大器级间匹配的设计方法。     

大功率交直交变频器在安钢的应用

本文介绍了大功率IEGT交一直一交变频器在安钢炉卷轧机主传动中的应用,重点阐述了全数字控制系统的构成和控制原理。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响