基于四管电流复制单元的精确电流缓冲器的研究

提出了一种四管电流复制单元，以该电流复制单元设计的电流缓冲器具有优异的电流复制精度，线性复制范围，带宽性能和由该电流复制单元组成的电流复制器输入阻抗小，输出阻抗大，故称之为电流缓冲器。     

关于小信号共射电路增益的讨论

利用晶体管小信号H、π、和Y参数模型间的内在联系 ,归纳出在不同模型参数下的共射放大电路增益的一般表达形式及其特点     

Flash IP核的版图设计技术

本文首先论述了版图设计的必要性,接着对分别介绍了Flash IP核中出现的大尺寸晶体管、电容、电阻、灵敏放大器、和减小噪声的版图设计技术。利用在Candece工具版图设计通过了DRC和LVS验证。     

基于CMOS晶体管的太赫兹探测器研究进展

随着太赫兹波的广泛应用,太赫兹探测技术成为研究的热点,探测器件主要以肖特基二极管,量子阱二极管,CMOS晶体管为主,CMOS晶体管探测器件具有响应度高,信噪比好,等效功率高等优点.首先介绍了太赫兹探测器的技术指标,接着从结构及材料两方面对近年来CMOS晶体管的改进方案进行了综述对比,最后介绍了太赫兹探测器的应用并对应用前景及未来发展方向进行了展望.     

高压大容量链式STATCOM中IEGT功率模块的仿真分析

为了提高链式STATCOM的运行性能和可靠性,针对用于高压大容量STATCOM链节中的新型大功率器件IEGT功率模块进行仿真研究。依据生产厂家所给的典型IEGT导通特性曲线,采用线性插值方法,分析了工程中设备实际运行温度的IEGT导通特性;建立了IEGT功能模型。根据实际工程设计参数对带有缓冲电路的IEGT功率模块进行了仿真分析,讨论缓冲电路参数变化的影响。结果表明,功率模块缓冲电路中电容和电感参数变化对IEGT关断电压尖峰影响大,电阻增大尖峰的峰值明显增大,而出现尖峰的时间基本不变,这一结果可以作为STATCON工程设计中器件选用和缓冲参数优化设计的参考。     

MOSFET器件热载流子效应SPICE模型

为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最后,依据准静态方法将该模型应用于热载流子交流退化模型中.实验数据显示,直流和交流退化模型的仿真结果与实测结果的均方根误差分别为3.8%和4.5%.该模型能准确反映MOSFET器件应力下电学参数的退化情况,且为包含MOSFET器件的电路的性能退化研究提供了模拟依据.     

用晶体管图示仪测量线性光耦

线性光耦良好的电磁隔离功能和线性度而有广泛的工业应用,却没有专门的测量设备测量线性光耦输出特性曲线,利用线性光耦和晶体管有相同的流控电流源电路模型的原理,再将四端元件的线性光耦巧妙地接成与晶体管对应的三端元件,就可利用晶体管图示仪测量线性光耦的输出特性曲线,文中给出了很好的测量结果。     

组合扫描电路及其优劣系数

推荐了恒流管──自举式组合扫描电路,论述了该电路的工作原理,并且引入优劣系数,论证了其性能比恒流管充电式、自举式扫描电路的更佳.     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。